GaN Epitaxy nga nakabase sa Silicon

Mubo nga Deskripsyon:

Dapit sa Sinugdanan:China

Kristal nga Istruktura:FCCβphase

Densidad:3.21 g/cm

Katig-a:2500 nga Vickers

Gidak-on sa lugas:2~10μm

Pagkaputli sa Kemikal:99.99995%

Kapasidad sa kainit:640J·kg-1·K-1

Temperatura sa sublimation:2700 ℃

Kalig-on sa Felexural:415 Mpa (RT 4-Point)

Modulus sa Batan-on:430 Gpa (4pt bend, 1300 ℃)

Thermal Expansion (CTE):4.5 10-6K-1

Thermal conductivity:300 (W/mK)

Ipadala ang email kanamo I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon sa Produkto

Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer.

Panguna nga mga bahin:

1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:

ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.

2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.

3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.

4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.

Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating

SiC-CVD Properties
Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna
Densidad	g/cm ³	3.21
Katig-a	Vickers katig-a	2500
Gidak-on sa lugas	μm	2~10
Pagkaputli sa Kemikal	%	99.99995
Kapasidad sa Kainit	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimation	℃	2700
Felexural nga Kusog	MPa (RT 4-point)	415
Modulus sa Batan-on	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300