SiC coating graphite MOCVD Wafer carrier, Graphite Susceptors alang sa SiC Epitaxy

Mubo nga Deskripsyon:

 


  • Dapit sa Sinugdanan:Zhejiang, China (Mainland)
  • Numero sa Modelo:Bangka3004
  • Kemikal nga Komposisyon:SiC adunay sapaw nga graphite
  • Flexural nga kusog:470Mpa
  • Thermal conductivity:300 W/mK
  • kalidad:Hingpit
  • Kalihokan:CVD-SiC
  • Aplikasyon:Semiconductor/Photovoltaic
  • Densidad:3.21 g/cc
  • Thermal nga pagpalapad:4 10-6/K
  • abo: <5ppm
  • Sampol:Magamit
  • HS Code:6903100000
  • Detalye sa Produkto

    Mga Tag sa Produkto

    SiC coating graphite MOCVD Wafer carriers, Graphite Susceptors para sa SiC Epitaxy,
    Mga susceptor sa suplay sa carbon, Graphite Susceptors, Graphite Trays, SiC Epitaxy, Wafer Susceptors,

    Deskripsyon sa Produkto

    Ang CVD-SiC coating adunay mga kinaiya sa uniporme nga istruktura, compact nga materyal, taas nga temperatura nga pagsukol, pagsukol sa oksihenasyon, taas nga kaputli, acid&alkali nga pagsukol ug organikong reagent, nga adunay lig-on nga pisikal ug kemikal nga mga kabtangan.

    Kung itandi sa high-purity graphite nga mga materyales, ang graphite nagsugod sa pag-oxidize sa 400C, nga maoy hinungdan sa pagkawala sa powder tungod sa oksihenasyon, nga moresulta sa polusyon sa kinaiyahan sa mga peripheral device ug vacuum chambers, ug pagdugang sa mga hugaw sa high-purity nga palibot.

    Bisan pa, ang SiC coating makapadayon sa pisikal ug kemikal nga kalig-on sa 1600 degrees, Kini kaylap nga gigamit sa modernong industriya, ilabi na sa industriya sa semiconductor.

    Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer. Ang SIC nga naporma lig-on nga gigapos sa graphite base, nga naghatag sa graphite base sa espesyal nga mga kabtangan, sa ingon naghimo sa nawong sa graphite nga compact, Porosity-free, taas nga temperatura nga pagsukol, pagsukol sa kaagnasan ug pagsukol sa oksihenasyon.

    Aplikasyon:

    2

    Panguna nga mga bahin:

    1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:

    ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1700 C.

    2. Taas nga kaputli: gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.

    3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.

    4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.

    Panguna nga Mga Detalye sa CVD-SIC Coatings:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Flexural nga kusog

    (Mpa)

    470

    Thermal nga pagpalapad

    (10-6/K)

    4

    Thermal conductivity

    (W/mK)

    300

    Abilidad sa Supply:

    10000 Piece/Pieces kada Bulan
    Pagputos ug Paghatud:
    Pag-pack: Standard & Kusog nga Pag-pack
    Poly bag + Box + Carton + Pallet
    Port:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Panahon sa Pagpangulo:

    Gidaghanon (Piraso) 1 – 1000 >1000
    Gibanabana nga Oras (mga adlaw) 15 Aron makigsabot


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • WhatsApp Online nga Chat!