Epitaxia de silici monocristal·lí IC

Imatge destacada de l'epitaxia de silici monocristal IC

Descripció breu:

Lloc d'origen:Xina

Estructura de cristall:Fase FCCβ

Densitat:3,21 g/cm;

Duresa:2500 Vickers;

Mida del gra:2 ~ 10μm;

Puresa química:99,99995%;

Capacitat calorífica:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimació:2700 ℃;

Força felexural:415 Mpa (RT de 4 punts);

Mòdul de Young:430 Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃);

Expansió tèrmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Conductivitat tèrmica:300（W/MK）;

Envieu-nos un correu electrònic Descarrega com a PDF

Detall del producte

Etiquetes de producte

Descripció del producte

La nostra empresa ofereix serveis de procés de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionin a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora SIC.

Característiques principals:

1. Resistència a l'oxidació a alta temperatura:

la resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com 1600 C.

2. Alta puresa: fet per deposició de vapor químic en condicions de cloració a alta temperatura.

3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.

4. Resistència a la corrosió: àcid, àlcali, sal i reactius orgànics.

Especificacions principals del recobriment CVD-SIC

Propietats SiC-CVD
Estructura de cristall	Fase β de la FCC
Densitat	g/cm³	3.21
Duresa	Duresa Vickers	2500
Mida del gra	μm	2~10
Puresa química	%	99,99995
Capacitat calorífica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimació	℃	2700
Força felexural	MPa (RT de 4 punts)	415
Mòdul de Young	Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃)	430
Expansió tèrmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivitat tèrmica	(W/mK)	300