Les hòsties de silici de 8 polzades de VET Energy s'utilitzen àmpliament en electrònica de potència, sensors, circuits integrats i altres camps. Com a líder en la indústria dels semiconductors, ens comprometem a oferir productes Si Wafer d'alta qualitat per satisfer les necessitats creixents dels nostres clients.
A més de Si Wafer, VET Energy també ofereix una àmplia gamma de materials de substrat semiconductors, com el substrat SiC, l'hòstia SOI, el substrat SiN, l'Oblea Epi, etc. La nostra línia de productes també cobreix nous materials semiconductors d'amplada banda com ara l'òxid de gal·li Ga2O3 i AlN. Wafer, que ofereix un fort suport per al desenvolupament de dispositius electrònics de potència de nova generació.
VET Energy disposa d'equips de producció avançats i un sistema complet de gestió de la qualitat per garantir que cada hòstia compleix els estrictes estàndards de la indústria. Els nostres productes no només tenen excel·lents propietats elèctriques, sinó que també tenen una bona resistència mecànica i estabilitat tèrmica.
VET Energy ofereix als clients solucions d'hòsties personalitzades, incloses hòsties de diferents mides, tipus i concentracions de dopatge. A més, també oferim suport tècnic professional i servei postvenda per ajudar els clients a resoldre diversos problemes trobats durant el procés de producció.
ESPECIFICACIONS DE LA HÒBLEA
*n-Pm=n-tipus Pm-Grau, n-Ps=n-tipus Ps-Grau, Sl=Semi-aïllant
Item | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valor absolut | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformació (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
Vora de l'hòstia | Bisellat |
ACABAT SUPERFICIAL
*n-Pm=n-tipus Pm-Grau, n-Ps=n-tipus Ps-Grau, Sl=Semi-aïllant
Item | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
Acabat superficial | Poliment òptic de doble cara, CMP Si-face | ||||
Rugositat superficial | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Xips de vora | Cap permès (longitud i amplada ≥0,5 mm) | ||||
Sagnats | Cap permès | ||||
Esgarrapades (Si-Face) | Quantitat ≤5, acumulat | Quantitat ≤5, acumulat | Quantitat ≤5, acumulat | ||
Esquerdes | Cap permès | ||||
Exclusió de la vora | 3 mm |