Els nostres productes són àmpliament reconeguts i fiables pels usuaris i poden satisfer les demandes financeres i socials canviants de Factory directament a China Green.SicPols de carbur de silici estàndard JIS, per tant, podem satisfer diferents consultes de diferents clients. Assegureu-vos d'obtenir la nostra pàgina web per consultar molta més informació i dades sobre els nostres productes.
Els nostres productes són àmpliament reconeguts i fiables pels usuaris i poden satisfer les demandes financeres i socials canviants de manera constant.Carbur de silici de la Xina, Sic, La nostra empresa sempre es compromet a satisfer la vostra demanda de qualitat, preus i objectiu de vendes. Us donem una calorosa benvinguda a obrir els límits de la comunicació. És un gran plaer per a nosaltres servir-vos si necessiteu un proveïdor de confiança i informació valuosa.
Compostos de carboni/carboni(d'ara endavant denominat com a "C/C o CFC”) és un tipus de material compost basat en carboni i reforçat amb fibra de carboni i els seus productes (preformes de fibra de carboni). Té tant la inèrcia del carboni com l'alta resistència de la fibra de carboni. Té bones propietats mecàniques, resistència a la calor, resistència a la corrosió, amortiment de la fricció i característiques de conductivitat tèrmica i elèctrica.
CVD-SiCEl recobriment té les característiques d'estructura uniforme, material compacte, resistència a altes temperatures, resistència a l'oxidació, alta puresa, resistència a àcids i àlcalis i reactiu orgànic, amb propietats físiques i químiques estables.
En comparació amb els materials de grafit d'alta puresa, el grafit comença a oxidar-se a 400 °C, cosa que provocarà una pèrdua de pols a causa de l'oxidació, cosa que provocarà contaminació ambiental dels dispositius perifèrics i les cambres de buit, i augmentarà les impureses de l'entorn d'alta puresa.
Tanmateix, el recobriment de SiC pot mantenir l'estabilitat física i química a 1600 graus. S'utilitza àmpliament en la indústria moderna, especialment en la indústria dels semiconductors.
La nostra empresa ofereix serveis de processos de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que gasos especials que contenen carboni i silici reaccionen a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora de SIC. El SIC format s'uneix fermament a la base de grafit, donant a la base de grafit propietats especials, fent així que la superfície del grafit sigui compacta, lliure de porositat, resistent a altes temperatures, resistència a la corrosió i resistència a l'oxidació.
Característiques principals:
1. Resistència a l'oxidació a altes temperatures:
La resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com els 1600 C.
2. Alta puresa: fet per deposició química de vapor en condicions de cloració a alta temperatura.
3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.
4. Resistència a la corrosió: àcids, àlcalis, sals i reactius orgànics.
Especificacions principals dels recobriments CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitat | (g/cc)
| 3.21 |
| Resistència a la flexió | (Mpa)
| 470 |
| Expansió tèrmica | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300
|
