Susceptor MOCVD d'alta qualitat 2022 Compreu en línia a la Xina, susceptors d'epitaxi de grafit Sic,
Substrats de suport de grafit, Susceptors de grafit, Susceptors de grafit per a l'epitaxia de SiC, Susceptors de grafit per a silici, Susceptors de grafit amb recobriment de carbur de silici, EINES DE GRAFIT EN SEMICONDUCTOR Safates de grafit Susceptors d'hòsties de grafit EINES DE GRAFIT D'ALTA PURESA Optoelectrònica, plataformes satèl·lits per al MOCVD, Plataformes satèl·lits de grafit recobertes de SiC per a MOCVD,

Els avantatges especials dels nostres susceptors de grafit recoberts de SiC inclouen una puresa extremadament alta, un recobriment homogeni i una vida útil excel·lent. També tenen una alta resistència química i propietats d'estabilitat tèrmica.

El recobriment de SiC del substrat de grafit per a aplicacions de semiconductors produeix una peça amb una puresa i resistència superiors a l'atmosfera oxidant.
CVD SiC o CVI SiC s'aplica al grafit de peces de disseny simples o complexes. El recobriment es pot aplicar en diferents gruixos i a peces molt grans.

Característiques:
· Excel·lent resistència al xoc tèrmic
· Excel·lent resistència als cops físics
· Excel·lent resistència química
· Puresa súper alta
· Disponibilitat en forma complexa
· Utilitzable en atmosfera comburent

Propietats típiques del material de grafit base:

El carboni subministra susceptors i components de grafit per a tots els reactors d'epitaxi actuals. La nostra cartera inclou susceptors de barril per a unitats aplicades i LPE, susceptors de creps per a unitats LPE, CSD i Gemini i susceptors d'hòstia única per a unitats aplicades i ASM. En combinar sòlides associacions amb OEM líders, experiència en materials i coneixements de fabricació, SGL ofereix el disseny òptim per a la seva aplicació.