IC монокристална силиконова епитаксия

Представено изображение на монокристална силиконова епитаксия

Кратко описание:

Място на произход:Китай

Кристална структура:FCCβ фаза

Плътност:3,21 g/cm;

Твърдост:2500 Vickers;

Размер на зърното:2~10μm;

Химическа чистота:99,99995%;

Топлинен капацитет:640J·kg-1·K-1;

Температура на сублимация:2700 ℃;

Felexural сила:415 Mpa (RT 4-точков);

Модул на Йънг:430 Gpa (4pt огъване, 1300 ℃);

Термично разширение (CTE):4.5 10-6K-1;

Топлопроводимост:300（W/MK）;

Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Описание на продукта

Нашата компания предоставя услуги за процес на нанасяне на SiC покритие чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образувайки SIC защитен слой.

Основни характеристики:

1. Устойчивост на окисление при висока температура:

устойчивостта на окисление е все още много добра, когато температурата е по-висока от 1600 C.

2. Висока чистота: направено чрез химическо отлагане на пари при високотемпературно хлориране.

3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.

4. Устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.

Основни спецификации на CVD-SIC покритие

SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J·kg-1 ·K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (CTE)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300