Конзолна гребло от силициев карбид RBSIC/SISIC с добро качество, използвано в слънчевата фотоволтаична индустрия

Кратко описание:

Специалните предимства на нашите графитни фиксатори с SiC покритие включват изключително висока чистота, хомогенно покритие и отличен експлоатационен живот. Те също така имат висока химическа устойчивост и термична стабилност.

Поддържаме много близки допуски при нанасяне на SiC покритието, като използваме високопрецизна обработка, за да осигурим равномерен профил на фиксатора. Ние също произвеждаме материали с идеални свойства на електрическо съпротивление за използване в системи с индуктивно нагряване. Всички готови компоненти се доставят със сертификат за чистота и съответствие с размерите.

Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Добре управлявани инструменти, експертен екип за печалба и много по-добри следпродажбени продукти и услуги; Били сме също така обединен основен съпруг и деца, всеки човек се придържа към ползата от компанията „обединение, отдаденост, толерантност“ за добро качество на силициев карбид RBSIC/SISIC конзолна гребло, използвано в слънчевата фотоволтаична индустрия, ние искрено приветстваме двете чуждестранни и местни бизнес спътници и се надявам да работим с вас в близък до дългосрочен план!
Добре управлявани инструменти, експертен екип за печалба и много по-добри следпродажбени продукти и услуги; Били сме също единни големи съпрузи и деца, всеки човек се придържа към ползата от компанията „обединение, отдаденост, толерантност“ заКитай Огнеупорна керамика и керамична пещ, За да отговорим на изискванията на конкретни клиенти за всеки бит по-перфектно обслужване и стабилни качествени артикули. Ние горещо приветстваме клиенти по целия свят да ни посетят, с нашето многостранно сътрудничество и съвместно разработване на нови пазари, създаване на блестящо бъдеще!

SiC покритие/покритие с графитен субстрат за полупроводници

Сцепторите задържат и нагряват полупроводникови пластини по време на термична обработка. Сцепторът е направен от материал, който абсорбира енергия чрез индукция, проводимост и/или радиация и загрява пластината. Неговата устойчивост на термичен шок, топлопроводимост и чистота са критични за бързата термична обработка (RTP). Графит, покрит със силициев карбид, силициев карбид (SiC) и силиций (Si) обикновено се използват за фиксатори в зависимост от специфичната термична и химическа среда. PureSiC® CVD SiC и ClearCarbon™ свръхчист материал, който осигурява превъзходна термична стабилност, устойчивост на корозия и издръжливост.

Описание на продукта

SiC покритието на графитния субстрат за полупроводникови приложения произвежда част с превъзходна чистота и устойчивост на окислителна атмосфера.
CVD SiC или CVI SiC се прилага към графит на прости или сложни конструктивни части. Покритието може да се нанася с различна дебелина и върху много големи части.

SiC покритие/покритие с графитен субстрат за полупроводници

Техническата керамика е естествен избор за приложения за термична обработка на полупроводници, включително RTP (бърза термична обработка), Epi (епитаксиална), дифузия, окисляване и отгряване. CoorsTek предоставя усъвършенствани материални компоненти, специално проектирани да издържат на термични удари с висока чистота, здрави, повтарящи се характеристики за високи температури

Характеристики:
· Отлична устойчивост на термичен удар
· Отлична устойчивост на физически удар
· Отлична химическа устойчивост
· Супер висока чистота
· Наличност в комплексна форма
· Може да се използва при окислителна атмосфера

приложение:

Вафлата трябва да премине през няколко стъпки, преди да е готова за използване в електронни устройства. Един важен процес е силициевата епитаксия, при която пластините се носят върху графитни фиксатори. Свойствата и качеството на фиксаторите оказват решаващо влияние върху качеството на епитаксиалния слой на пластината.

Типични свойства на основния графитен материал:

Видима плътност:	1,85 g/cm3
Електрическо съпротивление:	11 μΩm
Якост на огъване:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Твърдост по Шор:	58
Пепел:	<5 ppm
Топлопроводимост:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)