SiC örtüklü qrafit dişli üzük müxtəlif yarımkeçirici istehsal proseslərində istifadə olunan əsas komponentdir. Biz son dərəcə yüksək təmizliyə, yaxşı örtük vahidliyinə və əla xidmət müddətinə, həmçinin yüksək kimyəvi müqavimətə və istilik sabitliyinə malik silisium karbid daşıyıcısını hazırlamaq üçün patentləşdirilmiş texnologiyamızdan istifadə edirik.
VET Energy, SiC örtüyü, TaC örtüyü, şüşə karbon örtüyü, pirolitik karbon örtüyü və s. kimi səthi emal edilmiş fərdiləşdirilmiş qrafit və silisium karbid məhsullarının əsl istehsalçısıdır, yarımkeçiricilər və fotovoltaik sənaye üçün müxtəlif fərdiləşdirilmiş hissələri təmin edə bilər.
Texniki komandamız ən yaxşı yerli tədqiqat institutlarından gəlir, sizin üçün daha peşəkar material həlləri təqdim edə bilər.
Biz davamlı olaraq daha qabaqcıl materiallarla təmin etmək üçün qabaqcıl prosesləri inkişaf etdiririk və örtüklə substrat arasındakı əlaqəni daha sıx və qopmağa daha az meylli edə bilən eksklüziv patentləşdirilmiş texnologiya işləyib hazırlamışıq.
Məhsullarımızın xüsusiyyətləri:
1. 1700 ℃-ə qədər yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti.
2. Yüksək təmizlik və istilik vahidliyi
3. Əla korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.
4. Yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.
5. Daha uzun xidmət müddəti və daha davamlıdır
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-nin əsas fiziki xassələriörtük | |
| 性质 / Əmlak | 典型数值 / Tipik Dəyər |
| 晶体结构 / Kristal Struktur | FCC β fazası多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Sıxlıq | 3,21 q/sm³ |
| 硬度 / Sərtlik | 2500 维氏硬度（500g yük） |
| 晶粒大小 / Taxıl Ölçüsü | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kimyəvi Saflıq | 99.99995% |
| 热容 / İstilik tutumu | 640 J·kq-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimasiya temperaturu | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Bükülmə Gücü | 415 MPa RT 4 nöqtəli |
| 杨氏模量 / Gəncin Modulu | 430 Gpa 4pt əyilmə, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalKeçiricilik | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termal Genişlənmə (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Fabrikimizə baş çəkməyinizi ürəkdən salamlayıram, gəlin daha çox müzakirə edək!
