PSS Etch daşıyıcısı

Qısa təsvir:


  • Mənşə yeri:Çin
  • Kristal strukturu:FCCβ mərhələsi
  • Sıxlıq:3,21 q/sm;
  • Sərtlik:2500 Vickers;
  • Taxıl Ölçüsü:2 ~ 10μm;
  • Kimyəvi Saflıq:99,99995%;
  • İstilik tutumu:640J·kq-1·K-1;
  • Sublimasiya temperaturu:2700 ℃;
  • Feleksual Gücü:415 Mpa (RT 4 Nöqtəli);
  • Gəncin Modulu:430 Gpa (4pt əyilmə, 1300℃);
  • Termal Genişlənmə (CTE):4,5 10-6K-1;
  • İstilik keçiriciliyi:300(W/MK);
  • Məhsul təfərrüatı

    Məhsul Teqləri

    Məhsul təsviri

    Şirkətimiz qrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə SiC örtükləmə prosesi xidmətləri göstərir ki, tərkibində karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiyaya girərək yüksək təmizlikdə SiC molekulları, örtülmüş materialların səthində çökən molekullar, SIC qoruyucu təbəqəsini əmələ gətirir.

    Əsas xüsusiyyətlər:

    1. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti:

    temperatur 1600 C qədər yüksək olduqda oksidləşmə müqaviməti hələ də çox yaxşıdır.

    2. Yüksək təmizlik: yüksək temperaturda xlorlama şəraitində kimyəvi buxarın çökməsi ilə hazırlanmışdır.

    3. Eroziya müqaviməti: yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.

    4. Korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.

    CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri

    SiC-CVD Xüsusiyyətləri

    Kristal strukturu FCC β fazası
    Sıxlıq q/sm³ 3.21
    Sərtlik Vickers sərtliyi 2500
    Taxıl ölçüsü μm 2~10
    Kimyəvi Saflıq % 99.99995
    İstilik tutumu J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimasiya temperaturu 2700
    Feleksual Gücü MPa (RT 4 bal) 415
    Gəncin Modulu Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) 430
    Termal Genişlənmə (CTE) 10-6K-1 4.5
    İstilik keçiriciliyi (Vt/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • WhatsApp Onlayn Söhbət!