الصين الصانع SiC المغلفة الجرافيت MOCVD Epitaxy Susceptor

وصف قصير:

النقاء <5 جزء في المليون
‣ التوحيد الجيد للمنشطات
‣ كثافة عالية والتصاق
‣ مقاومة جيدة للتآكل والكربون

‣ التخصيص المهني
‣ مهلة قصيرة
‣ إمدادات مستقرة
‣ مراقبة الجودة والتحسين المستمر

خلاصة الجاليوم على الياقوت(RGB/ميني/مايكرو LED)؛
Epitaxy من GaN على Si Substrate(الأشعة فوق البنفسجية)؛
Epitaxy من GaN على Si Substrate(الجهاز الإلكتروني)؛
Epitaxy من Si على Si الركيزة(الدائرة المتكاملة)؛
نشوء SiC على ركيزة SiC(الركيزة)؛
خلاصة InP على InP

إرسال البريد الإلكتروني لنا تحميل بصيغة PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

شراء MOCVD Susceptor عالي الجودة عبر الإنترنت في الصين

تحتاج الرقاقة إلى المرور بعدة خطوات قبل أن تصبح جاهزة للاستخدام في الأجهزة الإلكترونية. إحدى العمليات المهمة هي تنضيد السيليكون، حيث يتم حمل الرقاقات على مستقبلات الجرافيت. إن خصائص وجودة المستقبلات لها تأثير حاسم على جودة الطبقة الفوقي للرقاقة.

بالنسبة لمراحل ترسيب الأغشية الرقيقة مثل مرحلة الترسيب أو MOCVD، توفر VET معدات جرافيت فائقة النقاء تستخدم لدعم الركائز أو "الرقائق". في جوهر العملية، تخضع هذه المعدات، أو المستشعرات الفوقية أو منصات الأقمار الصناعية الخاصة بـ MOCVD، أولاً لبيئة الترسيب:

ارتفاع درجة الحرارة.
فراغ عالي.
استخدام السلائف الغازية العدوانية.
صفر تلوث، وغياب التقشير.
مقاومة الأحماض القوية أثناء عمليات التنظيف

VET Energy هي الشركة المصنعة الحقيقية لمنتجات الجرافيت وكربيد السيليكون المخصصة مع طلاء لصناعة أشباه الموصلات والخلايا الكهروضوئية. يأتي فريقنا الفني من أفضل المؤسسات البحثية المحلية، ويمكنه توفير المزيد من الحلول المادية الاحترافية لك.

نحن نعمل باستمرار على تطوير عمليات متقدمة لتوفير مواد أكثر تقدمًا، وقد توصلنا إلى تقنية حصرية حاصلة على براءة اختراع، والتي يمكن أن تجعل الترابط بين الطلاء والركيزة أكثر إحكامًا وأقل عرضة للانفصال.

مميزات منتجاتنا:

1. مقاومة الأكسدة لدرجة الحرارة العالية حتى 1700 درجة مئوية.
2. درجة نقاء عالية وتجانس حراري
3. مقاومة ممتازة للتآكل: الأحماض والقلويات والملح والكواشف العضوية.
4. صلابة عالية، سطح مدمج، جزيئات دقيقة.
5. عمر خدمة أطول وأكثر متانة

الأمراض القلبية الوعائية SiCهذا هو السبب في ذلك الخصائص الفيزيائية الأساسية لـ CVD SiCطلاء
性质 / ملكية	典型数值 / القيمة النموذجية
شكرا جزيلا / الهيكل البلوري	المرحلة FCC β多晶,主要为(111) 取向
密度 / كثافة	3.21 جم/سم3
نعم / صلابة	2500 ميكروغرام (حمولة 500 جرام)
晶粒大小 / حجم الحبوب	2 ~ 10 ميكرومتر
نعم / النقاء الكيميائي	99.99995%
热容 / السعة الحرارية	640 جول·كجم^-1· ك^-1
升华温度 / درجة حرارة التسامي	2700 درجة مئوية
شكرا جزيلا / قوة الانثناء	415 ميجا باسكال RT 4 نقاط
杨氏模量 / معامل يونغ	430 جيجا باسكال 4pt منحنى، 1300 درجة مئوية
شكرا جزيلا / ثيرمالالموصلية	300 واط · م^-1· ك^-1
هذا هو الحال / التمدد الحراري (CTE)	4.5×10^-6K^-1