SiC-bedekte grafietratring is 'n sleutelkomponent wat in verskeie halfgeleiervervaardigingsprosesse gebruik word. Ons gebruik ons gepatenteerde tegnologie om die silikonkarbieddraer te maak met 'n uiters hoë suiwerheid, goeie deklaag-eenvormigheid en 'n uitstekende dienslewe, sowel as hoë chemiese weerstand en termiese stabiliteitseienskappe.
VET Energy is die regte vervaardiger van pasgemaakte grafiet- en silikonkarbiedprodukte met oppervlakbehandeling soos SiC-bedekking, TaC-bedekking, glasagtige koolstofbedekking, pirolitiese koolstofbedekking, ens., Kan verskeie pasgemaakte onderdele vir halfgeleier- en fotovoltaïese industrie verskaf.
Ons tegniese span kom van top plaaslike navorsingsinstellings, kan meer professionele materiaal oplossings vir jou verskaf.
Ons ontwikkel voortdurend gevorderde prosesse om meer gevorderde materiale te verskaf, en het 'n eksklusiewe gepatenteerde tegnologie uitgewerk, wat die binding tussen die deklaag en die substraat stywer en minder geneig tot losmaak kan maak.
Kenmerke van ons produkte:
1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand tot 1700 ℃.
2. Hoë suiwerheid en termiese eenvormigheid
3. Uitstekende weerstand teen korrosie: suur, alkali, sout en organiese reagense.
4. Hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.
5. Langer dienslewe en meer duursaam
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basiese fisiese eienskappe van CVD SiCdeklaag | |
| 性质 / Eiendom | 典型数值 / Tipiese waarde |
| 晶体结构 / Kristalstruktuur | FCC β fase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Digtheid | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardheid | 2500 维氏硬度（500g vrag） |
| 晶粒大小 / Graangrootte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemiese Suiwerheid | 99,99995% |
| 热容 / Hittekapasiteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimasie Temperatuur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Buigkrag | 415 MPa RT 4-punt |
| 杨氏模量 / Young se Modulus | 430 Gpa 4pt buiging, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalGeleidingsvermoë | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termiese uitbreiding (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Hartlik welkom om ons fabriek te besoek, laat ons verder bespreek!
