IC Enkelkristal Silikon Epitaksie

Kort beskrywing:

Plek van oorsprong:China

Kristal struktuur:FCCβ fase

Digtheid:3,21 g/cm;

Hardheid:2500 Vickers;

Korrelgrootte:2~10μm;

Chemiese suiwerheid:99,99995%;

Hitte kapasiteit:640J·kg-1·K-1;

Sublimasie temperatuur:2700℃;

Feleksurale sterkte:415 Mpa (RT 4-punt);

Young se modulus:430 Gpa (4pt-buiging, 1300℃);

Termiese uitbreiding (CTE):4,5 10-6K-1;

Termiese geleidingsvermoë:300 (W/MK);

Stuur e-pos aan ons Laai af as PDF

Produkbesonderhede

Produk Tags

Produkbeskrywing

Ons maatskappy bied SiC-bedekkingsprosesdienste volgens CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê word, die vorming van SIC beskermende laag.

Belangrikste kenmerke:

1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:

die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.

2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampneerlegging onder hoë temperatuur chloreringstoestand.

3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.

4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.

Hoofspesifikasies van CVD-SIC Coating

SiC-CVD-eienskappe
Kristalstruktuur	FCC β fase
Digtheid	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers hardheid	2500
Korrelgrootte	μm	2~10
Chemiese suiwerheid	%	99,99995
Hitte kapasiteit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimasie temperatuur	℃	2700
Feleksurale sterkte	MPa (RT 4-punt)	415
Young se modulus	Gpa (4pt-buiging, 1300℃)	430
Termiese uitbreiding (CTE)	10-6K-1	4.5
Termiese geleidingsvermoë	(W/mK)	300