CVD (Chemical Vapor Deposition) is 'n algemeen gebruikte metode vir die voorbereiding van silikonkarbiedbedekkings.CVD-silikonkarbiedbedekkingshet baie unieke prestasie-eienskappe. Hierdie artikel sal die voorbereidingsmetode van CVD-silikonkarbiedbedekking en sy prestasie-eienskappe bekendstel.
1. Voorbereidingsmetode vanCVD silikonkarbiedbedekking
Die CVD-metode omskep gasvormige voorlopers in soliede silikonkarbiedbedekkings onder hoë temperatuurtoestande. Volgens die verskillende gasvormige voorlopers kan dit in gasfase CVD en vloeistoffase CVD verdeel word.
1. Dampfase CVD
Dampfase CVD gebruik gasvormige voorlopers, gewoonlik organosilikoonverbindings, om die groei van silikonkarbiedfilms te bewerkstellig. Algemeen gebruikte organosilikoonverbindings sluit in metielsilaan, dimetielsilaan, monosilaan, ens., wat silikonkarbiedfilms op metaalsubstrate vorm deur gasvormige voorlopers na hoë-temperatuur reaksiekamers te vervoer. Hoëtemperatuurareas in die reaksiekamer word gewoonlik deur induksieverhitting of weerstandsverhitting gegenereer.
2. Vloeistoffase CVD
Vloeistoffase CVD gebruik 'n vloeibare voorloper, gewoonlik 'n organiese oplosmiddel wat silikon en 'n silanolverbinding bevat, wat in 'n reaksiekamer verhit en verdamp word, en dan word 'n silikonkarbiedfilm op die substraat gevorm deur 'n chemiese reaksie.
2. Prestasie eienskappe vanCVD silikonkarbiedbedekking
1.Uitstekende hoë temperatuur prestasie
CVD-silikonkarbiedbedekkingsbied uitstekende hoë temperatuurstabiliteit en oksidasieweerstand. Dit is in staat om in hoë temperatuur omgewings te werk en kan uiterste toestande by hoë temperature weerstaan.
2.Goeie meganiese eienskappe
CVD silikonkarbiedbedekkinghet hoë hardheid en goeie slytasieweerstand. Dit beskerm metaalsubstrate teen slytasie en korrosie, wat die materiaal se lewensduur verleng.
3. Uitstekende chemiese stabiliteit
CVD-silikonkarbiedbedekkingsis hoogs bestand teen algemene chemikalieë soos sure, alkalieë en soute. Dit weerstaan chemiese aanval en korrosie van die substraat.
4. Lae wrywingskoëffisiënt
CVD silikonkarbiedbedekkinghet 'n lae wrywingskoëffisiënt en goeie selfsmeer eienskappe. Dit verminder wrywing en slytasie en verbeter die doeltreffendheid van materiaalgebruik.
5.Goeie termiese geleidingsvermoë
CVD-silikonkarbiedbedekking het goeie termiese geleidingseienskappe. Dit kan hitte vinnig gelei en die hitte-afvoerdoeltreffendheid van die metaalbasis verbeter.
6.Uitstekende elektriese isolasie eienskappe
CVD-silikonkarbiedbedekking het goeie elektriese isolasie-eienskappe en kan stroomlekkasie voorkom. Dit word wyd gebruik in die isolasiebeskerming van elektroniese toestelle.
7. Verstelbare dikte en samestelling
Deur die toestande tydens die CVD-proses en die konsentrasie van die voorloper te beheer, kan die dikte en samestelling van die silikonkarbiedfilm aangepas word. Dit bied baie opsies en buigsaamheid vir 'n verskeidenheid toepassings.
Kortom, CVD-silikonkarbiedbedekking het uitstekende hoë-temperatuur werkverrigting, uitstekende meganiese eienskappe, goeie chemiese stabiliteit, lae wrywingskoëffisiënt, goeie termiese geleidingsvermoë en elektriese isolasie eienskappe. Hierdie eienskappe maak CVD-silikonkarbiedbedekkings wyd gebruik in baie velde, insluitend elektronika, optika, lugvaart, chemiese industrie, ens.
Postyd: 20 Maart 2024