Die Monokristallyne 8 Duim Silicon Wafer van VET Energy is 'n toonaangewende oplossing vir die vervaardiging van halfgeleiers en elektroniese toestelle. Bied voortreflike suiwerheid en kristallyne struktuur, hierdie wafers is ideaal vir hoë-prestasie toepassings in beide die fotovoltaïese en halfgeleier industrieë. VET Energy verseker dat elke wafer noukeurig verwerk word om aan die hoogste standaarde te voldoen, wat uitstekende eenvormigheid en gladde oppervlakafwerking bied, wat noodsaaklik is vir gevorderde elektroniese toestelproduksie.
Hierdie Monokristallyne 8 Duim Silicon Wafers is versoenbaar met 'n reeks materiale, insluitend Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, en is veral geskik vir Epi Wafer-groei. Hul uitstekende termiese geleidingsvermoë en elektriese eienskappe maak hulle 'n betroubare keuse vir hoë-doeltreffendheid vervaardiging. Boonop is hierdie wafers ontwerp om naatloos te werk met materiale soos Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, wat 'n wye reeks toepassings bied van kragelektronika tot RF-toestelle. Die wafers pas ook perfek in Cassette-stelsels vir hoëvolume, outomatiese produksie-omgewings.
VET Energy se produkreeks is nie beperk tot silikonwafels nie. Ons verskaf ook 'n wye reeks halfgeleiersubstraatmateriale, insluitend SiC-substraat, SOI-wafer, SiN-substraat, Epi-wafer, ens., sowel as nuwe wye bandgap-halfgeleiermateriale soos Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Hierdie produkte kan voldoen aan die toepassingsbehoeftes van verskillende kliënte in kragelektronika, radiofrekwensie, sensors en ander velde.
VET Energy bied klante pasgemaakte wafer-oplossings. Ons kan wafers met verskillende weerstand, suurstofinhoud, dikte, ens. volgens klante se spesifieke behoeftes aanpas. Daarbenewens bied ons ook professionele tegniese ondersteuning en na-verkope diens om kliënte te help om verskeie probleme op te los wat tydens die produksieproses ondervind word.
WAFERING SPESIFIKASIES
*n-Pm=n-tipe Pm-graad,n-Ps=n-tipe Ps-graad,Sl=Semi-isolerend
Item | 8-duim | 6-duim | 4-duim | ||
nP | n-nm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Boog(GF3YFCD)-absolute waarde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Afskuining |
OPPERVLAK AFWERKING
*n-Pm=n-tipe Pm-graad,n-Ps=n-tipe Ps-graad,Sl=Semi-isolerend
Item | 8-duim | 6-duim | 4-duim | ||
nP | n-nm | n-Ps | SI | SI | |
Oppervlakafwerking | Dubbelkant Optiese Pools, Si-Face CMP | ||||
Oppervlakruwheid | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Randskyfies | Geen toegelaat nie (lengte en breedte≥0.5mm) | ||||
Inkepings | Geen toegelaat nie | ||||
Skrape (Si-Face) | Aantal.≤5, Kumulatief | Aantal.≤5, Kumulatief | Aantal.≤5, Kumulatief | ||
Krake | Geen toegelaat nie | ||||
Rand-uitsluiting | 3 mm |