12 duim SOI Wafer

Kort beskrywing:

Ervaar innovasie soos nog nooit tevore nie met die moderne 12 Duim SOI Wafer, 'n tegnologiese wonder wat met trots aan jou gebring is deur VET Energy. Hierdie Silicon-On-Insulator-wafer, vervaardig met presisie en kundigheid, herdefinieer industriestandaarde en bied ongeëwenaarde kwaliteit en werkverrigting.

Stuur e-pos aan ons Laai af as PDF

Produkbesonderhede

Produk Tags

VET Energy 12-duim SOI wafer is 'n hoë-prestasie halfgeleier substraat materiaal, wat hoogs bevoordeel word vir sy uitstekende elektriese eienskappe en unieke struktuur. VET Energy gebruik gevorderde SOI-wafer-vervaardigingsprosesse om te verseker dat die wafer uiters lae lekstroom, hoë spoed en stralingsweerstand het, wat 'n stewige fondament bied vir jou hoëprestasie geïntegreerde stroombane.

VET Energy se produkreeks is nie beperk tot SOI-wafers nie. Ons verskaf ook 'n wye reeks halfgeleiersubstraatmateriale, insluitend Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, ens., sowel as nuwe wye bandgap halfgeleiermateriale soos Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer. Hierdie produkte kan voldoen aan die toepassingsbehoeftes van verskillende kliënte in kragelektronika, RF, sensors en ander velde.

Met die fokus op uitnemendheid, gebruik ons SOI-wafers ook gevorderde materiale soos galliumoksied Ga2O3, kassette en AlN-wafers om betroubaarheid en doeltreffendheid op elke bedryfsvlak te verseker. Vertrou VET Energy om voorpuntoplossings te verskaf wat die weg baan vir tegnologiese vooruitgang.

Ontketen die potensiaal van jou projek met die voortreflike werkverrigting van VET Energy 12-duim SOI-wafers. Verhoog jou innovasievermoëns met wafers wat kwaliteit, akkuraatheid en innovasie beliggaam, wat die grondslag lê vir sukses in die dinamiese veld van halfgeleiertegnologie. Kies VET Energy vir premium SOI-waferoplossings wat verwagtinge oortref.

WAFERING SPESIFIKASIES

*n-Pm=n-tipe Pm-graad,n-Ps=n-tipe Ps-graad,Sl=Semi-isolerend

Item	8-duim	6-duim			4-duim
Item	nP	n-nm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Boog(GF3YFCD)-absolute waarde	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Afskuining

OPPERVLAK AFWERKING

*n-Pm=n-tipe Pm-graad,n-Ps=n-tipe Ps-graad,Sl=Semi-isolerend

Item	8-duim	6-duim			4-duim
	nP	n-nm	n-Ps	SI	SI
Oppervlakafwerking	Dubbelkant Optiese Pools, Si-Face CMP
Oppervlakruwheid	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Gesig Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Gesig Ra≤0.5nm
Randskyfies	Geen toegelaat nie (lengte en breedte≥0.5mm)
Inkepings	Geen toegelaat nie
Skrape (Si-Face)	Aantal.≤5, Kumulatief Lengte≤0.5×wafeldiameter	Aantal.≤5, Kumulatief Lengte≤0.5×wafeldiameter			Aantal.≤5, Kumulatief Lengte≤0.5×wafeldiameter
Krake	Geen toegelaat nie
Rand-uitsluiting	3 mm