Epitaksiale Epi Grafiet Vat Susceptor

Epitaksiale Epi Grafiet Vat Susceptor

Epitaksiale Epi Grafiet Vat Susceptoris 'n spesiaal ontwerpte ondersteunings- en verwarmingstoestel wat gebruik word om halfgeleiersubstrate te hou en te verhit tydens vervaardigingsprosesse soos afsettings- of epitaksieprosesse.

Die struktuur sluit tipies silindriese of effens vat-vormige, oppervlak beskik oor verskeie sakke of platforms vir die plasing van die wafers, kan soliede of hol ontwerp wees, afhangende van die verhitting metode.

Die hooffunksies van epitaksiale vatsusceptor:

-Substraatondersteuning: hou veelvuldige halfgeleierwafels veilig;
-Hittebron: verskaf hoë temperature wat benodig word vir groei deur verhitting;
-Temperatureuniformiteit: verseker eenvormige verhitting van substrate;
-Rotasie: roteer gewoonlik tydens groei om temperatuur en gasverspreiding eenvormigheid te verbeter.

Werksbeginsel van Epi grafiet vat susceptor:
- In die epitaksiale reaktor word die vatsusceptor verhit tot die vereiste temperatuur (tipies 1000℃-1200℃ vir silikon-epitaksie);
-Die vatsusceptor draai om eenvormige temperatuurverspreiding en gasvloei te verseker;
-Reaksiegasse ontbind by hoë temperature en vorm epitaksiale lae op die substraatoppervlak.

Aansoeke:
- Hoofsaaklik gebruik vir silikon epitaksiale groei
-Ook van toepassing op epitaksie van ander halfgeleiermateriale soos GaAs, InP, ens.

VET Energy gebruik hoë suiwer grafiet met CVD-SiC coating om die chemiese stabiliteit te verbeter:

Die voordele van VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- Hoë temperatuur stabiliteit;
-Goeie termiese eenvormigheid;
-Kan verskeie substrate gelyktydig verwerk, wat produksiedoeltreffendheid verbeter;
- Chemies inert, handhaaf 'n hoë-suiwer groei-omgewing.