SiC קאָוטאַד גראַפיטע גאַנג רינג איז אַ שליסל קאָמפּאָנענט געניצט אין פאַרשידן סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג פּראַסעסאַז. מיר נוצן אונדזער פּאַטאַנטאַד טעכנאָלאָגיע צו מאַכן די סיליציום קאַרבידע טרעגער מיט גאָר הויך ריינקייַט, גוט קאָוטינג יונאַפאָרמאַטי און אַ ויסגעצייכנט דינסט לעבן, ווי געזונט ווי הויך כעמישער קעגנשטעל און טערמאַל פעסטקייַט פּראָפּערטיעס.
VET Energy איז דער עמעס פאַבריקאַנט פון קאַסטאַמייזד גראַפייט און סיליציום קאַרבידע פּראָדוקטן מיט ייבערפלאַך באַהאַנדלונג ווי סיק קאָוטינג, טאַק קאָוטינג, גלאַסי טשאַד קאָוטינג, פּיראָליטיק טשאַד קאָוטינג, אאז"ו ו, קענען צושטעלן פאַרשידן קאַסטאַמייזד פּאַרץ פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע.
אונדזער טעכניש מאַנשאַפֿט קומט פון שפּיץ דינער פאָרשונג אינסטיטוציעס, קענען צושטעלן מער פאַכמאַן מאַטעריאַל סאַלושאַנז פֿאַר איר.
מיר קאַנטיניואַסלי אַנטוויקלען אַוואַנסירטע פּראַסעסאַז צו צושטעלן מער אַוואַנסירטע מאַטעריאַלס, און האָבן אַ ויסשליסיק פּאַטאַנטאַד טעכנאָלאָגיע, וואָס קענען מאַכן די באַנדינג צווישן די קאָוטינג און די סאַבסטרייט טייטער און ווייניקער פּראָנע צו דיטאַטשמאַנט.
פֿעיִקייטן פון אונדזער פּראָדוקטן:
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל אַרויף צו 1700 ℃.
2. הויך ריינקייַט און טערמאַל יונאַפאָרמאַטי
3. ויסגעצייכנט קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.
4. הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
5. מער דינסט לעבן און מער דוראַבאַל
| CVD SiC薄膜基本物理性能 יקערדיק גשמיות פּראָפּערטיעס פון CVD SiCקאָוטינג | |
| 性质 / פאַרמאָג | 典型数值 / טיפּיש ווערט |
| 晶体结构 / קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / געדיכטקייַט | 3.21 ג/קם³ |
| 硬度 / כאַרדנאַס | 2500 维氏硬度（500ג מאַסע） |
| 晶粒大小 / קערל גרייס | 2~10μם |
| 纯度 / כעמישער ריינקייַט | 99.99995% |
| 热容 / היץ קאַפּאַסיטי | 640 דזש·קג-1·ק-1 |
| 升华温度 / סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | 2700℃ |
| 抗弯强度 / פלעקסוראַל סטרענגטה | 415 מפּאַ רט 4-פונט |
| 杨氏模量 / יונג ס מאָדולע | 430 גפּאַ 4 פּט בייגן, 1300 ℃ |
| 导热系数 / טערמאַלקאַנדאַקטיוואַטי | 300 וו·ם-1·ק-1 |
| 热膨胀系数 / טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
באַגריסן איר צו באַזוכן אונדזער פאַבריק, לאָזן אונדז האָבן ווייַטער דיסקוסיע!
