ציטירטן פּרייַז פֿאַר טשיינאַ הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל גרין סיליציום קאַרבידע אַברייסיוו פּודער שוואַרץ סיליציום קאַרבידע פּאַלישינג פּודער

קורץ באַשרייַבונג:

אָרט פון אָנהייב:כינע

קריסטאַל סטרוקטור:FCCβפאַסע

געדיכטקייַט:3.21 ג / סענטימעטער;

שווערקייט:2500 וויקערס;

גריין גרייס:2~10μם;

כעמישער ריינקייַט:99.99995%;

היץ קאַפּאַציטעט:640דזש·קג-1·ק-1;

סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור:2700℃;

פעלעקסוראַל שטאַרקייַט:415 מפּאַ (רט 4-פונט);

יונג ס מאָדולע:430 גפּאַ (4 פּט בייגן, 1300 ℃);

טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE):4.5 10-6ק-1;

טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי:300 (וו / מק);

שיקן E- בריוו צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

מיר האָבן אונדזער אייגענע סאַלעס מאַנשאַפֿט, פּלאַן מאַנשאַפֿט, טעכניש מאַנשאַפֿט, קק מאַנשאַפֿט און פּעקל מאַנשאַפֿט. מיר האָבן שטרענג קוואַליטעט קאָנטראָל פּראָוסידזשערז פֿאַר יעדער פּראָצעס. אויך, אַלע פון אונדזער וואָרקערס זענען יקספּיריאַנסט אין דרוק פעלד פֿאַר ציטירט פּרייַז פֿאַר טשיינאַ הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל גרין סיליציום קאַרבידע אַברייסיוו פּאַודער שוואַרץ סיליציום קאַרבידע פּאַלישינג פּאַודער, קאַסטאַמערז 'בענעפיטן און צופֿרידנקייט זענען נאָרמאַלי אונדזער ביגאַסט כוונה. געדענקט צו קאָנטאַקט אונדז. געבן אונדז אַ מאַשמאָעס, צושטעלן איר אַ יבערראַשן.
מיר האָבן אונדזער אייגענע סאַלעס מאַנשאַפֿט, פּלאַן מאַנשאַפֿט, טעכניש מאַנשאַפֿט, קק מאַנשאַפֿט און פּעקל מאַנשאַפֿט. מיר האָבן שטרענג קוואַליטעט קאָנטראָל פּראָוסידזשערז פֿאַר יעדער פּראָצעס. אויך, אַלע פון אונדזער טוערס זענען יקספּיריאַנסט אין דרוקן פעלד פֿאַרטשיינאַ סיליציום קאַרבידע, Sic, וואָס איז גוט פּרייַז? מיר געבן קאַסטאַמערז מיט פאַבריק פּרייַז. אין דער האַנאָכע פון גוט קוואַליטעט, עפעקטיווקייַט זאָל זיין אכטונג צו און האַלטן צונעמען נידעריק און געזונט פּראַפיץ. וואָס איז אַ שנעל עקספּרעס? מיר מאַכן די עקספּרעס לויט צו קאַסטאַמערז 'רעקווירעמענץ. כאָטש עקספּרעס צייט דעפּענדס אויף די סדר קוואַנטיטי און די קאַמפּלעקסיטי פון עס, מיר נאָך פּרובירן צו צושטעלן פּראָדוקטן און סאַלושאַנז אין צייט. בעעמעס האָפֿן מיר קען האָבן לאַנג טערמין געשעפט שייכות.
פּראָדוקט באַשרייַבונג

אונדזער פירמע פּראָווידעס SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג סיק פּראַטעקטיוו שיכטע.

הויפּט פֿעיִקייטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל: די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 סי.

2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.

3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.

4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.

הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג

SiC-CVD פּראָפּערטיעס
קריסטאַל סטרוקטור	פקק β פאַסע
געדיכטקייַט	ג/קם ³	3.21
כאַרדנאַס	וויקקערס כאַרדנאַס	2500
קערל גרייס	μm	2~10
כעמישער ריינקייַט	%	99.99995
היץ קאַפּאַסיטי	דזש·קג-1 ·ק-1	640
סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור	℃	2700
פעלעקסוראַל שטאַרקייַט	מפּאַ (רט 4-פונט)	415
יונג ס מאָדולע	גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃)	430
טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE)	10-6ק-1	4.5
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי	(וו/מק)	300