הויך-ריינקייַט גראַפייט קאַמפּאָונאַנץ זענען קריטיש פֿאַרפּראַסעסאַז אין די סעמיקאַנדאַקטער, געפירט און זונ - אינדוסטריע. אונדזער פאָרשלאָג ריינדזשאַז פון גראַפייט קאָנסומאַבלעס פֿאַר קריסטאַל גראָוינג הייס זאָנעס (כיטערז, קרוסיבלע סאַספּעקטערז, ינסאַליישאַן), צו הויך-פּינטלעכקייַט גראַפייט קאַמפּאָונאַנץ פֿאַר ווייפער פּראַסעסינג ויסריכט, אַזאַ ווי סיליציום קאַרבידע קאָוטאַד גראַפייט סאַסעפּטערז פֿאַר עפּיטאַקסי אָדער MOCVD. דאָס איז ווו אונדזער ספּעציאַליטעט גראַפיטע קומט אין שפּיל: יסאָסטאַטיק גראַפייט איז פונדאַמענטאַל פֿאַר די פּראָדוקציע פון קאַמפּאַונד סעמיקאַנדאַקטער לייַערס. די זענען דזשענערייטאַד אין די "הייס זאָנע" אונטער עקסטרעם טעמפּעראַטורעס בעשאַס די אַזוי גערופענע עפּיטאַקסי, אָדער MOCVD פּראָצעס. די ראָוטייטינג טרעגער אויף וואָס די ווייפערז זענען קאָוטאַד אין די רעאַקטאָר, באשטייט פון סיליציום קאַרבידע-קאָוטאַד יסאָסטאַטיק גראַפייט. בלויז דעם זייער ריין, כאָומאַדזשיניאַס גראַפייט טרעפן די הויך רעקווירעמענץ אין די קאָוטינג פּראָצעס.
Tדער גרונט פּרינציפּ פון געפירט עפּיטאַקסיאַל ווייפער וווּקס איז: אויף אַ סאַבסטרייט (דער הויפּט סאַפייער, סיק און סי) העאַטעד צו אַ צונעמען טעמפּעראַטור, די גאַסאַס מאַטעריאַל InGaAlP איז טראַנספּאָרטאַד צו די סאַבסטרייט ייבערפלאַך אין אַ קאַנטראָולד שטייגער צו וואַקסן אַ ספּעציפיש איין קריסטאַל פילם. דערווייַל, די גראָוט טעכנאָלאָגיע פון געפירט עפּיטאַקסיאַל ווייפער דער הויפּט אַדאַפּץ אָרגאַניק מעטאַל כעמישער פארע דעפּאַזישאַן.
געפירט עפּיטאַקסיאַל סאַבסטרייט מאַטעריאַלאיז דער קאָרנערסטאָון פון די טעקנאַלאַדזשיקאַל אַנטוויקלונג פון סעמיקאַנדאַקטער לייטינג אינדוסטריע. פאַרשידענע סאַבסטרייט מאַטעריאַלס דאַרפֿן פאַרשידענע געפירט עפּיטאַקסיאַל ווייפער גראָוט טעכנאָלאָגיע, שפּאָן פּראַסעסינג טעכנאָלאָגיע און מיטל פּאַקקאַגינג טעכנאָלאָגיע. סאַבסטרייט מאַטעריאַלס באַשטימען די אַנטוויקלונג מאַרשרוט פון סעמיקאַנדאַקטער לייטינג טעכנאָלאָגיע.
קעראַקטעריסטיקס פון סעלעקציע פון געפירט עפּיטאַקסיאַל ווייפער סאַבסטרייט מאַטעריאַל:
1. די עפּיטאַקסיאַל מאַטעריאַל האט די זעלבע אָדער ענלעך קריסטאַל סטרוקטור מיט די סאַבסטרייט, קליין לאַטאַס קעסיידערדיק מיסמאַטש, גוט קריסטאַלינאַס און נידעריק דעפעקט געדיכטקייַט
2. גוט צובינד קעראַקטעריסטיקס, קאַנדוסיוו צו די נוקלעאַטיאָן פון עפּיטאַקסיאַל מאַטעריאַלס און שטאַרק אַדכיזשאַן
3. עס האט גוט כעמישער פעסטקייַט און איז נישט גרינג צו צעלייגנ און קעראָוד אין די טעמפּעראַטור און אַטמאָספער פון עפּיטאַקסיאַל וווּקס
4. גוט טערמאַל פאָרשטעלונג, אַרייַנגערעכנט גוט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און נידעריק טערמאַל מיסמאַטש
5. גוט קאַנדאַקטיוואַטי, קענען זיין געמאכט אין אויבערשטער און נידעריקער סטרוקטור 6, גוט אָפּטיש פאָרשטעלונג, און די ליכט ימיטיד דורך די פאַבריקייטיד מיטל איז ווייניקער אַבזאָרבד דורך די סאַבסטרייט
7. גוט מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס און גרינג פּראַסעסינג פון דעוויסעס, אַרייַנגערעכנט טינינג, פּאַלישינג און קאַטינג
8. נידעריק פּרייַז.
9. גרויס גרייס. אין אַלגעמיין, די דיאַמעטער זאָל נישט זיין ווייניקער ווי 2 אינטשעס.
10. עס איז גרינג צו באַקומען רעגולער פאָרעם סאַבסטרייט (סייַדן עס זענען אנדערע ספּעציעל רעקווירעמענץ), און די סאַבסטרייט פאָרעם ענלעך צו די טאַץ לאָך פון עפּיטאַקסיאַל ויסריכט איז נישט גרינג צו פאָרעם ירעגיאַלער עדי קראַנט, אַזוי ווי צו ווירקן די עפּיטאַקסיאַל קוואַליטעט.
11. אויף די האַנאָכע פון ניט אַפעקטינג די עפּיטאַקסיאַל קוואַליטעט, די מאַשינאַביליטי פון די סאַבסטרייט וועט טרעפן די באדערפענישן פון סאַבסאַקוואַנט שפּאָן און פּאַקקאַגינג פּראַסעסינג ווי ווייַט ווי מעגלעך.
עס איז זייער שווער פֿאַר די סעלעקציע פון סאַבסטרייט צו טרעפן די אויבן עלף אַספּעקץ אין דער זעלביקער צייט. דערווייַל, מיר קענען בלויז אַדאַפּט צו די ר & די און פּראָדוקציע פון סעמיקאַנדאַקטער ליכט-ימיטינג דעוויסעס אויף פאַרשידענע סאַבסטרייץ דורך די ענדערונג פון עפּיטאַקסיאַל גראָוט טעכנאָלאָגיע און די אַדזשאַסטמאַנט פון מיטל פּראַסעסינג טעכנאָלאָגיע. עס זענען פילע סאַבסטרייט מאַטעריאַלס פֿאַר גאַליום ניטרידע פאָרשונג, אָבער עס זענען בלויז צוויי סאַבסטרייץ וואָס קענען זיין געוויינט פֿאַר פּראָדוקציע, ניימלי סאַפייער אַל2אָ3 און סיליציום קאַרבידעסיק סאַבסטרייץ.
פּאָסטן צייט: פעברואר 28-2022