מאָנאָקריסטאַללינע 8 אינטש סיליקאָן וואַפער

מאָנאָקריסטאַללינע 8 אינטש סיליציום ווייפער פיטשערד בילד

קורץ באַשרייַבונג:

VET ענערגיע איין קריסטאַל 8-אינטש סיליציום ווייפער איז אַ הויך-ריינקייַט, הויך-קוואַליטעט סעמיקאַנדאַקטער באַזע מאַטעריאַל. VET Energy ניצט אַוואַנסירטע CZ גראָוט פּראָצעס צו ענשור אַז די ווייפער האט ויסגעצייכנט קריסטאַל קוואַליטעט, נידעריק דעפעקט געדיכטקייַט און הויך יונאַפאָרמאַטי, פּראַוויידינג אַ האַרט און פאַרלאָזלעך סאַבסטרייט פֿאַר דיין סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

די מאָנאָקריסטאַללינע 8 אינטש סיליציום וואַפער פון VET Energy איז אַן ינדאַסטרי-לידינג לייזונג פֿאַר פּראָדוקציע פון סעמיקאַנדאַקטער און עלעקטראָניש מיטל. מיט העכער ריינקייַט און קריסטאַליין סטרוקטור, די ווייפערז זענען ידעאַל פֿאַר הויך-פאָרשטעלונג אַפּלאַקיישאַנז אין ביידע די פאָטאָוואָלטאַיק און סעמיקאַנדאַקטער ינדאַסטריז. VET Energy ינשורז אַז יעדער ווייפער איז מאַטיקיאַלאַסלי פּראַסעסט צו טרעפן די העכסטן סטאַנדאַרדס, פּראַוויידינג ויסגעצייכנט יונאַפאָרמאַטי און גלאַט ייבערפלאַך ענדיקן, וואָס זענען יקערדיק פֿאַר אַוואַנסירטע עלעקטראָניש מיטל פּראָדוקציע.

די מאָנאָקריסטאַללינע 8 אינטש סיליציום וואַפערס זענען קאַמפּאַטאַבאַל מיט אַ קייט פון מאַטעריאַלס, אַרייַנגערעכנט Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, Sin Substrate, און זענען דער הויפּט פּאַסיק פֿאַר עפּי וואַפער וווּקס. זייער העכער טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס מאַכן זיי אַ פאַרלאָזלעך ברירה פֿאַר הויך-עפעקטיווקייַט מאַנופאַקטורינג. אַדדיטיאָנאַללי, די ווייפערז זענען דיזיינד צו אַרבעטן סימלאַס מיט מאַטעריאַלס אַזאַ ווי Gallium Oxide Ga2O3 און AlN Wafer, וואָס פאָרשלאָגן אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז פון מאַכט עלעקטראָניק צו רף דעוויסעס. די ווייפערז אויך פּאַסיק בישליימעס אין קאַסעט סיסטעמען פֿאַר הויך-באַנד, אָטאַמייטיד פּראָדוקציע ינווייראַנמאַנץ.

VET Energy ס פּראָדוקט ליניע איז נישט לימיטעד צו סיליציום ווייפערז. מיר אויך צושטעלן אַ ברייט קייט פון סעמיקאַנדאַקטער סאַבסטרייט מאַטעריאַלס, אַרייַנגערעכנט SiC Substrate, SOI Wafer, Sin Substrate, Epi Wafer, אאז"ו ו, ווי געזונט ווי נייַ ברייט באַנדגאַפּ סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס אַזאַ ווי Gallium Oxide Ga2O3 און AlN Wafer. די פּראָדוקטן קענען טרעפן די אַפּלאַקיישאַן באדערפענישן פון פאַרשידענע קאַסטאַמערז אין מאַכט עלעקטראָניק, ראַדיאָ אָפטקייַט, סענסאָרס און אנדערע פעלדער.

VET Energy גיט קאַסטאַמערז מיט קאַסטאַמייזד ווייפער סאַלושאַנז. מיר קענען קאַסטאַמייז ווייפערז מיט פאַרשידענע רעסיסטיוויטי, זויערשטאָף צופרידן, גרעב, אאז"ו ו לויט צו קאַסטאַמערז 'ספּעציפיש באדערפענישן. אין אַדישאַן, מיר אויך צושטעלן פאַכמאַן טעכניש שטיצן און נאָך-פארקויפונג דינסט צו העלפֿן קאַסטאַמערז צו סאָלווע פאַרשידן פּראָבלעמס געפּלאָנטערט בעשאַס די פּראָדוקציע פּראָצעס.

וואַפערינג ספּעסאַפאַקיישאַנז

*n-Pm=n-Type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Semi-Insulating

נומער	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
נומער	nP	n-פּם	n-פּס	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6ום	≤6ום
בויגן (GF3YFCD)-אַבסאָלוט ווערט	≤15μם	≤15μם	≤25μם		≤15μם
וואָרפּ (GF3YFER)	≤25μם	≤25μם	≤40μם		≤25μם
LTV(SBIR) -10mmx10mm	<2μם
וואַפער עדזש	בעוועלינג

ייבערפלאַך ענדיקן

*n-Pm=n-Type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=Semi-Insulating

נומער	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
	nP	n-פּם	n-פּס	SI	SI
ייבערפלאַך ענדיקן	טאָפּל זייַט אָפּטיש פויליש, סי-פייס קמפּ
SurfaceRoughness	(10ום רענטגענ 10ום) Si-FaceRa≤0.2נם C-פּנים ראַ≤ 0.5נם			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
ברעג טשיפּס	ניט דערלויבט (לענג און ברייט ≥0.5 מם)
אינדענץ	קיין דערלויבט
סקראַטשיז (Si-Face)	קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער	קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער			קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער
קראַקס	קיין דערלויבט
עדזש יקסקלוזשאַן	3מם