טשיינאַ מאַנופאַקטורער סיק קאָוטאַד גראַפיטע מאָקווד עפּיטאַקסי סוססעפּטאָר

טשיינאַ מאַנופאַקטורער סיק קאָוטאַד גראַפיטע מאָקווד עפּיטאַקסי סאַספּטער פיטשערד בילד

קורץ באַשרייַבונג:

ריינקייַט <5ppm
‣ גוט דאָפּינג יונאַפאָרמאַטי
‣ הויך געדיכטקייַט און אַדכיזשאַן
‣ גוט אַנטי-קעראָוסיוו און טשאַד קעגנשטעל

‣ פאַכמאַן קוסטאָמיזאַטיאָן
‣ קורץ פירן צייט
‣ סטאַביל צושטעלן
‣ קוואַליטעט קאָנטראָל און קעסיידערדיק פֿאַרבעסערונג

עפּיטאַקסיע פון גאַן אויף סאַפייער(רגב / מיני / מיקראָ געפירט);
עפּיטאַקסיע פון גאַן אויף סי סאַבסטרייט(וווק);
עפּיטאַקסיע פון גאַן אויף סי סאַבסטרייט(עלעקטראָניק מיטל);
עפּיטאַקסיע פון סי אויף סי סאַבסטרייט(ינאַגרייטיד קרייַז);
עפּיטאַקסי פון SiC אויף SiC סאַבסטרייט(סובסטראַטע);
עפּיטאַקסי פון InP אויף InP

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

הויך קוואַליטעט MOCVD סוסעפּטאָר קויפן אָנליין אין טשיינאַ

א ווייפער דאַרף דורכגיין עטלעכע סטעפּס איידער עס איז גרייט פֿאַר נוצן אין עלעקטראָניש דעוויסעס. איין וויכטיק פּראָצעס איז סיליציום עפּיטאַקסי, אין וואָס די ווייפערז זענען געפירט אויף גראַפייט סוססעפּטאָרס. די פּראָפּערטיעס און קוואַליטעט פון די סאַספּעקטערז האָבן אַ קריטיש ווירקונג אויף די קוואַליטעט פון די עפּיטאַקסיאַל שיכטע פון די ווייפער.

פֿאַר דין פילם דעפּאַזישאַן פייזאַז אַזאַ ווי עפּיטאַקסי אָדער MOCVD, VET סאַפּלייז הינטער-ריין גראַפייט עקוויפּמענט געניצט צו שטיצן סאַבסטרייץ אָדער "ווייפערז". אין די האַרץ פון דעם פּראָצעס, די עקוויפּמענט, עפּיטאַקסי סאַסעפּטערז אָדער סאַטעליט פּלאַטפאָרמס פֿאַר די MOCVD, זענען ערשטער אונטערטעניק צו די דעפּאַזישאַן סוויווע:

הויך טעמפּעראַטור.
הויך וואַקוום.
נוצן פון אַגרעסיוו גאַז פּריקערסערז.
נול קאַנטאַמאַניישאַן, פעלן פון פּילינג.
קעגנשטעל צו שטאַרק אַסאַדז בעשאַס רייניקונג אַפּעריישאַנז

VET Energy איז דער עמעס פאַבריקאַנט פון קאַסטאַמייזד גראַפייט און סיליציום קאַרבידע פּראָדוקטן מיט קאָוטינג פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. אונדזער טעכניש מאַנשאַפֿט קומט פון שפּיץ דינער פאָרשונג אינסטיטוציעס, קענען צושטעלן מער פאַכמאַן מאַטעריאַל סאַלושאַנז פֿאַר איר.

מיר קאַנטיניואַסלי אַנטוויקלען אַוואַנסירטע פּראַסעסאַז צו צושטעלן מער אַוואַנסירטע מאַטעריאַלס, און האָבן אַ ויסשליסיק פּאַטאַנטאַד טעכנאָלאָגיע, וואָס קענען מאַכן די באַנדינג צווישן די קאָוטינג און די סאַבסטרייט טייטער און ווייניקער פּראָנע צו דיטאַטשמאַנט.

פֿעיִקייטן פון אונדזער פּראָדוקטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל אַרויף צו 1700 ℃.
2. הויך ריינקייַט און טערמאַל יונאַפאָרמאַטי
3. ויסגעצייכנט קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.
4. הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
5. מער דינסט לעבן און מער דוראַבאַל

CVD SiC薄膜基本物理性能 יקערדיק גשמיות פּראָפּערטיעס פון CVD SiCקאָוטינג
性质 / פאַרמאָג	典型数值 / טיפּיש ווערט
晶体结构 / קריסטאַל סטרוקטור	פקק β פאַסע多晶，主要为（111）取向
密度 / געדיכטקייַט	3.21 ג/קם³
硬度 / כאַרדנאַס	2500 维氏硬度（500ג מאַסע）
晶粒大小 / קערל גרייס	2~10μם
纯度 / כעמישער ריינקייַט	99.99995%
热容 / היץ קאַפּאַסיטי	640 דזש·קג^-1·ק^-1
升华温度 / סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור	2700℃
抗弯强度 / פלעקסוראַל סטרענגטה	415 מפּאַ רט 4-פונט
杨氏模量 / יונג ס מאָדולע	430 גפּאַ 4 פּט בייגן, 1300 ℃
导热系数 / טערמאַלקאַנדאַקטיוואַטי	300 וו·ם^-1·ק^-1
热膨胀系数 / טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1