פאַבריק סעלינג טשיינאַ פּאַלישט סיליציום קאַרבידע סיסיק גרינדינג פאַס פאָרעם סיק רער פֿאַר גרינדינג מיל

קורץ באַשרייַבונג:


  • אָרט פון אָנהייב:כינע
  • קריסטאַל סטרוקטור:FCCβ פאַסע
  • געדיכטקייַט:3.21 ג / סענטימעטער;
  • שווערקייט:2500 וויקערס;
  • גריין גרייס:2~10μם;
  • כעמישער ריינקייַט:99.99995%;
  • היץ קאַפּאַציטעט:640דזש·קג-1·ק-1;
  • סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור:2700℃;
  • פעלעקסוראַל שטאַרקייַט:415 מפּאַ (רט 4-פונט);
  • יונג ס מאָדולע:430 גפּאַ (4 פּט בייגן, 1300 ℃);
  • טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE):4.5 10-6ק-1;
  • טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי:300 (W / MK );
  • פּראָדוקט דעטאַל

    פּראָדוקט טאַגס

    All we do is always related with our tenet ”Client first, Have confidence in 1st, devoting about the meals packaging and environment protection for Factory Selling China Polished Silicon Carbide Sisic Grinding Fas Shape Sic Tube for Grinding Mill, We warmly welcome prospects, organisation associations און פרענדז פון אומעטום אין דער ערד צו באַקומען קאָנטאַקט מיט אונדז און בעטן קוואַפּעריישאַן פֿאַר קעגנצייַטיק בענעפיץ.
    אַלע וואָס מיר טאָן איז שטענדיק שייַכות צו אונדזער יקער ” קליענט ערשטער, האָבן בטחון אין דער ערשטער, אָפּגעבן וועגן די פּאַקקאַגינג פון מילז און ינווייראַנמענאַל שוץ פֿאַרטשיינאַ סאַע1026 כאָונינג רער, S45c כאָנעד רער, אונדזער פּראָדוקציע האָבן שוין יקספּאָרטאַד צו מער ווי 30 לענדער און מקומות ווי ערשטער האַנט מקור מיט לאָואַסט פּרייַז. מיר בעעמעס באַגריסן קאַסטאַמערז פון ביידע אין שטוב און אין אויסלאנד צו קומען צו פאַרהאַנדלען געשעפט מיט אונדז.
    פּראָדוקט באַשרייַבונג

    אונדזער פירמע פּראָווידעס SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג סיק פּראַטעקטיוו שיכטע.

    הויפּט פֿעיִקייטן:

    1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:

    די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 C.

    2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.

    3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.

    4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.

    הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג

    SiC-CVD פּראָפּערטיעס

    קריסטאַל סטרוקטור פקק β פאַסע
    געדיכטקייַט ג/קם ³ 3.21
    כאַרדנאַס וויקקערס כאַרדנאַס 2500
    קערל גרייס μm 2~10
    כעמישער ריינקייַט % 99.99995
    היץ קאַפּאַסיטי דזש·קג-1 ·ק-1 640
    סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור 2700
    פעלעקסוראַל שטאַרקייַט מפּאַ (רט 4-פונט) 415
    יונג ס מאָדולע גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) 430
    טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) 10-6ק-1 4.5
    טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (וו/מק) 300

    1 2 3 4 5


  • פֿריִער:
  • ווייַטער:

  • ווהאַצאַפּפּ אָנליין שמועסן!