Chất mang wafer MOCVD phủ than chì SiC,Chất nhạy cảm với than chìcho SiC Epitaxy,
Chất nhạy cảm với nguồn cung cấp carbon, chất nhạy cảm với epitaxy, Chất nhạy cảm với than chì,

Lớp phủ CVD-SiC có đặc điểm cấu trúc đồng nhất, vật liệu nhỏ gọn, chịu nhiệt độ cao, chống oxy hóa, độ tinh khiết cao, kháng axit & kiềm và thuốc thử hữu cơ, có tính chất vật lý và hóa học ổn định.

So với vật liệu than chì có độ tinh khiết cao, than chì bắt đầu oxy hóa ở 400C sẽ gây thất thoát bột do quá trình oxy hóa, gây ô nhiễm môi trường cho các thiết bị ngoại vi và buồng chân không, đồng thời làm tăng tạp chất của môi trường có độ tinh khiết cao.

Tuy nhiên, lớp phủ SiC có thể duy trì độ ổn định vật lý và hóa học ở 1600 độ, được sử dụng rộng rãi trong công nghiệp hiện đại, đặc biệt là trong ngành bán dẫn.

Công ty chúng tôi cung cấp dịch vụ xử lý lớp phủ SiC bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, để các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, hình thành lớp bảo vệ SIC. SIC hình thành được liên kết chắc chắn với nền than chì, tạo cho nền than chì những đặc tính đặc biệt, do đó làm cho bề mặt than chì nhỏ gọn, không có độ xốp, chịu được nhiệt độ cao, chống ăn mòn và chống oxy hóa.

Ứng dụng:

Các tính năng chính:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:

khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt khi nhiệt độ cao tới 1700 C.

2. Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao.

3. Chống xói mòn: độ cứng cao, bề mặt nhỏ gọn, hạt mịn.

4. Chống ăn mòn: thuốc thử axit, kiềm, muối và hữu cơ.

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC:

Khả năng cung cấp:

10000 mảnh / mảnh mỗi tháng
Đóng gói & Giao hàng:
Đóng gói: Đóng gói tiêu chuẩn và mạnh mẽ
Túi poly + Hộp + Thùng + Pallet
Cảng:
Ninh Ba/Thâm Quyến/Thượng Hải
Thời gian dẫn: