Chất mang wafer MOCVD phủ than chì SiC, Chất nhạy cảm than chì choEpitaxy SiC,
Chất nhạy cảm với nguồn cung cấp carbon, Chất nhạy cảm với epitaxy than chì, Chất nền hỗ trợ than chì, Chất nhạy cảm MOCVD, Epitaxy SiC, Chất nhạy cảm với wafer,

Ưu điểm đặc biệt của chất nhạy cảm than chì được phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ tuyệt vời. Chúng cũng có đặc tính kháng hóa chất và ổn định nhiệt cao.

Lớp phủ SiC trên chất nền Graphite dành cho các ứng dụng Chất bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết vượt trội và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
CVD SiC hay CVI SiC được áp dụng cho Graphite của các bộ phận có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở các độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.

Đặc trưng:
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
· Kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết siêu cao
· Có sẵn ở dạng phức tạp
· Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

Ứng dụng:

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Chất nhạy cảm với nguồn cung cấp carbonvà các thành phần than chì cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện tại. Danh mục đầu tư của chúng tôi bao gồm các bộ cảm biến thùng cho các đơn vị LPE ứng dụng và LPE, các bộ cảm biến pancake cho các đơn vị LPE, CSD và Gemini, cũng như các bộ cảm biến wafer đơn cho các đơn vị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp các mối quan hệ đối tác mạnh mẽ với các OEM hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.