BÁNH SILICON

BÁNH SILICON

từ sitronic

Abánh xốplà một miếng silicon dày khoảng 1 mm có bề mặt cực kỳ phẳng nhờ các quy trình đòi hỏi khắt khe về mặt kỹ thuật. Việc sử dụng tiếp theo sẽ xác định quy trình nuôi cấy tinh thể nào sẽ được áp dụng. Ví dụ, trong quy trình Czochralski, silicon đa tinh thể bị tan chảy và một tinh thể hạt mỏng như bút chì được nhúng vào silicon nóng chảy. Tinh thể hạt sau đó được quay và từ từ kéo lên trên. Kết quả là một khối khổng lồ rất nặng, một đơn tinh thể. Có thể chọn các đặc tính điện của đơn tinh thể bằng cách thêm các đơn vị nhỏ chất pha tạp có độ tinh khiết cao. Các tinh thể được pha tạp theo thông số kỹ thuật của khách hàng, sau đó được đánh bóng và cắt thành từng lát. Sau nhiều bước sản xuất bổ sung khác nhau, khách hàng sẽ nhận được các tấm bán dẫn được chỉ định trong bao bì đặc biệt, cho phép khách hàng sử dụngbánh xốpngay trong dây chuyền sản xuất của mình.

Ngày nay, một phần lớn các đơn tinh thể silicon được phát triển theo quy trình Czochralski, bao gồm việc nấu chảy silicon đa tinh thể có độ tinh khiết cao trong nồi nấu kim loại thạch anh siêu tinh khiết và thêm chất pha tạp (thường là B, P, As, Sb). Một tinh thể hạt đơn tinh thể mỏng được nhúng vào silicon nóng chảy. Một tinh thể CZ lớn sau đó phát triển từ tinh thể mỏng này. Việc điều chỉnh chính xác nhiệt độ và dòng chảy silicon nóng chảy, chuyển động quay của tinh thể và nồi nấu kim loại, cũng như tốc độ kéo tinh thể tạo ra một thỏi silicon đơn tinh thể chất lượng cực cao.