Lớp phủ SiC có thể được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), biến đổi tiền chất, phun plasma, v.v. Lớp phủ được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi HÓA CHẤT đồng nhất, nhỏ gọn và có khả năng thiết kế tốt. Sử dụng metyl triclosilan. (CHzSiCl3, MTS) làm nguồn silicon, lớp phủ SiC được điều chế bằng phương pháp CVD là phương pháp tương đối hoàn thiện để ứng dụng lớp phủ này.
Lớp phủ SiC và than chì có khả năng tương thích hóa học tốt, chênh lệch hệ số giãn nở nhiệt giữa chúng nhỏ, sử dụng lớp phủ SiC có thể cải thiện hiệu quả khả năng chống mài mòn và chống oxy hóa của vật liệu than chì. Trong số đó, tỷ lệ cân bằng hóa học, nhiệt độ phản ứng, khí pha loãng, khí tạp chất và các điều kiện khác có ảnh hưởng lớn đến phản ứng.
Thời gian đăng: 14-09-2022