Với việc sản xuất hàng loạt dần dần các chất nền SiC dẫn điện, các yêu cầu cao hơn được đặt ra cho độ ổn định và khả năng lặp lại của quy trình. Đặc biệt, việc kiểm soát khuyết tật, sự điều chỉnh nhỏ hoặc lệch của trường nhiệt trong lò sẽ gây ra sự thay đổi tinh thể hoặc làm tăng khuyết tật. Trong giai đoạn sau, chúng ta phải đối mặt với thách thức “phát triển nhanh, dài và dày, lớn lên”, ngoài việc cải tiến về lý thuyết và kỹ thuật, chúng ta còn cần những vật liệu trường nhiệt tiên tiến hơn làm hỗ trợ. Sử dụng vật liệu tiên tiến, phát triển tinh thể tiên tiến.
Việc sử dụng không đúng cách các vật liệu nấu kim loại, chẳng hạn như than chì, than chì xốp, bột cacbua tantalum, v.v. trong trường nóng sẽ dẫn đến các khuyết tật như tăng lượng cacbon. Ngoài ra, trong một số ứng dụng, độ thấm của than chì xốp là không đủ và cần có thêm các lỗ để tăng độ thấm. Than chì xốp có độ thấm cao phải đối mặt với những thách thức trong quá trình xử lý, loại bỏ bột, ăn mòn, v.v.
VET giới thiệu một thế hệ vật liệu trường nhiệt phát triển tinh thể SiC mới, cacbua tantalum xốp. Ra mắt thế giới.
Độ bền và độ cứng của cacbua tantalum rất cao và việc làm cho nó xốp là một thách thức. Việc tạo ra cacbua tantalum xốp có độ xốp lớn và độ tinh khiết cao là một thách thức lớn. Hengpu Technology đã cho ra đời loại cacbua tantalum xốp mang tính đột phá với độ xốp lớn, độ xốp tối đa 75%, dẫn đầu thế giới.
Có thể sử dụng lọc thành phần pha khí, điều chỉnh độ dốc nhiệt độ cục bộ, hướng dòng vật liệu, kiểm soát rò rỉ, v.v.. Nó có thể được sử dụng với lớp phủ cacbua tantalum rắn (nhỏ gọn) hoặc cacbua tantalum khác từ Công nghệ Hengpu để tạo thành các thành phần cục bộ có độ dẫn dòng khác nhau.
Một số thành phần có thể được tái sử dụng.
Thời gian đăng: 14-07-2023