Mái chèo đúc hẫng silicon cacbua RBSIC / SISIC chất lượng tốt được sử dụng trong ngành công nghiệp quang điện mặt trời

Mái chèo đúc hẫng Silicon Carbide RBSIC/SISIC chất lượng tốt được sử dụng trong ngành công nghiệp quang điện mặt trời

Mô tả ngắn gọn:

Ưu điểm đặc biệt của chất nhạy cảm than chì được phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ tuyệt vời. Chúng cũng có đặc tính kháng hóa chất và ổn định nhiệt cao.

Chúng tôi duy trì dung sai rất gần khi áp dụng lớp phủ SiC, sử dụng phương pháp gia công có độ chính xác cao để đảm bảo cấu hình cảm biến đồng nhất. Chúng tôi cũng sản xuất vật liệu có đặc tính điện trở lý tưởng để sử dụng trong các hệ thống gia nhiệt bằng cảm ứng. Tất cả các thành phần đã hoàn thiện đều có chứng nhận tuân thủ về độ tinh khiết và kích thước.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Các công cụ được vận hành tốt, đội ngũ chuyên gia thu lợi nhuận và các sản phẩm và dịch vụ sau bán hàng tốt hơn nhiều; Chúng tôi cũng là vợ chồng và con cái thống nhất, mọi người đều gắn bó với lợi ích của công ty “đoàn kết, cống hiến, bao dung” đối với Mái chèo đúc hẫng Silicon Carbide RBSIC/SISIC chất lượng tốt được sử dụng trong ngành quang điện mặt trời, Chúng tôi chân thành chào đón cả hai nước trong và ngoài nước đồng hành cùng doanh nghiệp kinh doanh và hy vọng được hợp tác lâu dài với bạn!
Các công cụ được vận hành tốt, đội ngũ chuyên gia thu lợi nhuận và các sản phẩm và dịch vụ sau bán hàng tốt hơn nhiều; Chúng tôi cũng là vợ chồng và con cái đoàn kết, mỗi người đều gắn bó với lợi ích công ty “đoàn kết, cống hiến, bao dung” choLò nung gốm sứ chịu lửa Trung Quốc, Để đáp ứng yêu cầu của từng khách hàng cụ thể về từng dịch vụ hoàn hảo hơn và chất lượng ổn định. Chúng tôi nồng nhiệt chào đón khách hàng trên khắp thế giới đến thăm chúng tôi, với sự hợp tác nhiều mặt và cùng phát triển thị trường mới, tạo ra một tương lai rực rỡ!

Lớp phủ SiC/phủ nền Graphite cho chất bán dẫn

Các chất nhạy cảm giữ và làm nóng các tấm bán dẫn trong quá trình xử lý nhiệt. Chất nhạy cảm được làm bằng vật liệu hấp thụ năng lượng bằng cảm ứng, dẫn truyền và/hoặc bức xạ và làm nóng tấm bán dẫn. Khả năng chống sốc nhiệt, độ dẫn nhiệt và độ tinh khiết của nó rất quan trọng đối với quá trình xử lý nhiệt nhanh (RTP). Than chì phủ cacbua silic, cacbua silic (SiC) và silicon (Si) thường được sử dụng cho các chất nhạy cảm tùy thuộc vào môi trường nhiệt và hóa học cụ thể. Vật liệu siêu tinh khiết PureSiC® CVD SiC và ClearCarbon™ mang lại độ ổn định nhiệt, chống ăn mòn và độ bền vượt trội.

Mô tả sản phẩm

Lớp phủ SiC trên chất nền Graphite dành cho các ứng dụng Chất bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết vượt trội và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
CVD SiC hay CVI SiC được ứng dụng cho Graphite của các bộ phận có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở các độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.

Lớp phủ SiC/phủ nền Graphite cho chất bán dẫn

Gốm kỹ thuật là sự lựa chọn tự nhiên cho các ứng dụng xử lý nhiệt bán dẫn bao gồm RTP (Xử lý nhiệt nhanh), Epi (Epiticular), khuếch tán, oxy hóa và ủ. CoorsTek cung cấp các thành phần vật liệu tiên tiến được thiết kế đặc biệt để chịu được các cú sốc nhiệt với hiệu suất có độ tinh khiết cao, chắc chắn, có thể lặp lại cho nhiệt độ cao

Đặc trưng:
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
· Kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết siêu cao
· Có sẵn ở dạng phức tạp
· Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

ứng dụng:

Một tấm wafer cần phải trải qua một số bước trước khi sẵn sàng sử dụng trong các thiết bị điện tử. Một quá trình quan trọng là epit Wax silicon, trong đó các tấm bán dẫn được vận chuyển trên các chất nhạy cảm với than chì. Các đặc tính và chất lượng của các chất nhạy cảm có ảnh hưởng quan trọng đến chất lượng của lớp epitaxy của tấm bán dẫn.

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Mật độ biểu kiến:	1,85 g/cm3
Điện trở suất:	11 μΩm
Độ uốn uốn:	49 MPa (500kgf/cm2)
Độ cứng bờ:	58
Tro:	<5 trang/phút
Độ dẫn nhiệt:	116 W/mK (100 kcal/mhr-°C)