Mái chèo đúc hẫng SiC tiên tiến để xử lý wafer

Mái chèo đúc hẫng SiC nâng cao để xử lý wafer Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Mái chèo đúc hẫng SiC tiên tiến để xử lý tấm wafer do vet-china tung ra sử dụng vật liệu SiC công nghệ cao để cải thiện hiệu quả và độ chính xác của quá trình xử lý tấm wafer. Mái chèo đúc hẫng của Vet-china có khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn tuyệt vời, đảm bảo hiệu suất xử lý tấm bán dẫn ổn định trong môi trường sản xuất khắc nghiệt, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng để cải thiện năng suất sản xuất.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

nâng caoMái chèo đúc hẫng SiCdành cho Xử lý wafer do vet-chin tạo ra cung cấp một giải pháp tuyệt vời cho sản xuất chất bán dẫn. Mái chèo đúc hẫng này được làm bằng vật liệu SiC (silicon cacbua), độ cứng và khả năng chịu nhiệt cao cho phép nó duy trì hiệu suất tuyệt vời trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn. Thiết kế của Cantilever Paddle cho phép tấm wafer được hỗ trợ một cách đáng tin cậy trong quá trình xử lý, giảm nguy cơ bị phân mảnh và hư hỏng.

Mái chèo đúc hẫng SiClà thành phần chuyên dụng được sử dụng trong các thiết bị sản xuất chất bán dẫn như lò oxy hóa, lò khuếch tán và lò ủ, công dụng chính là để bốc dỡ wafer, hỗ trợ và vận chuyển các wafer trong quá trình nhiệt độ cao.

Cấu trúc chungcủaSiCcchống chịupung hư: Cấu trúc đúc hẫng, cố định ở một đầu và tự do ở đầu kia, thường có thiết kế phẳng và giống mái chèo.

VET Energy sử dụng vật liệu cacbua silic kết tinh lại có độ tinh khiết cao để đảm bảo chất lượng.

Tính chất vật lý của cacbua silic kết tinh
Tài sản	Giá trị điển hình
Nhiệt độ làm việc (° C)	1600°C (có oxy), 1700°C (môi trường khử)
Nội dung SiC	> 99,96%
Nội dung Si miễn phí	< 0,1%
Mật độ lớn	2,60-2,70 g/cm3³
Độ xốp rõ ràng	< 16%
Cường độ nén	> 600MPa
Độ bền uốn nguội	80-90 MPa (20°C)
Độ bền uốn nóng	90-100 MPa (1400°C)
Giãn nở nhiệt @1500°C	4,70 10^-6/°C
Độ dẫn nhiệt @1200°C	23W/m·K
mô đun đàn hồi	240 GPa
Chống sốc nhiệt	Cực kỳ tốt