nâng caoMái chèo đúc hẫng SiCdành cho Xử lý wafer do vet-chin tạo ra cung cấp một giải pháp tuyệt vời cho sản xuất chất bán dẫn. Mái chèo đúc hẫng này được làm bằng vật liệu SiC (silicon cacbua), độ cứng và khả năng chịu nhiệt cao cho phép nó duy trì hiệu suất tuyệt vời trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn. Thiết kế của Cantilever Paddle cho phép tấm wafer được hỗ trợ một cách đáng tin cậy trong quá trình xử lý, giảm nguy cơ bị phân mảnh và hư hỏng.
Mái chèo đúc hẫng SiClà thành phần chuyên dụng được sử dụng trong các thiết bị sản xuất chất bán dẫn như lò oxy hóa, lò khuếch tán và lò ủ, công dụng chính là để bốc dỡ wafer, hỗ trợ và vận chuyển các wafer trong quá trình nhiệt độ cao.
Cấu trúc chungcủaSiCcchống chịupung hư: Cấu trúc đúc hẫng, cố định ở một đầu và tự do ở đầu kia, thường có thiết kế phẳng và giống mái chèo.
VET Energy sử dụng vật liệu cacbua silic kết tinh lại có độ tinh khiết cao để đảm bảo chất lượng.
Tính chất vật lý của cacbua silic kết tinh | |
Tài sản | Giá trị điển hình |
Nhiệt độ làm việc (°C) | 1600°C (có oxy), 1700°C (môi trường khử) |
Nội dung SiC | > 99,96% |
Nội dung Si miễn phí | < 0,1% |
Mật độ lớn | 2,60-2,70 g/cm33 |
Độ xốp rõ ràng | < 16% |
Cường độ nén | > 600MPa |
Độ bền uốn nguội | 80-90 MPa (20°C) |
Độ bền uốn nóng | 90-100 MPa (1400°C) |
Giãn nở nhiệt @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Độ dẫn nhiệt @1200°C | 23W/m·K |
mô đun đàn hồi | 240 GPa |
Chống sốc nhiệt | Cực kỳ tốt |
Ưu điểm của Mái chèo đúc hẫng SiC tiên tiến của VET Energy để xử lý wafer là:
-Độ ổn định nhiệt độ cao: có thể sử dụng trong môi trường trên 1600°C;
-Hệ số giãn nở nhiệt thấp: duy trì độ ổn định kích thước, giảm nguy cơ cong vênh tấm wafer;
-Độ tinh khiết cao: nguy cơ ô nhiễm kim loại thấp hơn;
-Tính trơ hóa học: chống ăn mòn, thích hợp với nhiều môi trường khí khác nhau;
-Độ bền và độ cứng cao: Chống mài mòn, tuổi thọ cao;
- Độ dẫn nhiệt tốt: giúp làm nóng wafer đồng đều.