Tấm wafer SiC bán cách điện 6 inch

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer silicon cacbua bán cách điện (SiC) 6 inch của VET Energy là chất nền chất lượng cao lý tưởng cho nhiều ứng dụng điện tử công suất. VET Energy sử dụng các kỹ thuật tăng trưởng tiên tiến để sản xuất các tấm bán dẫn SiC có chất lượng tinh thể vượt trội, mật độ khuyết tật thấp và điện trở suất cao.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tấm wafer SiC bán cách điện 6 inch của VET Energy là giải pháp tiên tiến cho các ứng dụng công suất cao và tần số cao, mang lại khả năng dẫn nhiệt và cách điện vượt trội. Những tấm bán cách điện này rất cần thiết trong việc phát triển các thiết bị như bộ khuếch đại RF, công tắc nguồn và các thành phần điện áp cao khác. VET Energy đảm bảo chất lượng và hiệu suất ổn định, khiến những tấm bán dẫn này trở nên lý tưởng cho nhiều quy trình chế tạo chất bán dẫn.

Ngoài các đặc tính cách điện vượt trội, các tấm wafer SiC này còn tương thích với nhiều loại vật liệu bao gồm Si wafer, SiC Substrate, SOI wafer, SiN Substrate và Epi wafer, khiến chúng trở nên linh hoạt cho các loại quy trình sản xuất khác nhau. Hơn nữa, các vật liệu tiên tiến như Gallium Oxide Ga2O3 và AlN Wafer có thể được sử dụng kết hợp với các tấm wafer SiC này, mang lại tính linh hoạt cao hơn nữa trong các thiết bị điện tử công suất cao. Các tấm bán dẫn được thiết kế để tích hợp liền mạch với các hệ thống xử lý tiêu chuẩn công nghiệp như hệ thống Cassette, đảm bảo dễ sử dụng trong môi trường sản xuất hàng loạt.

VET Energy cung cấp một danh mục toàn diện các chất nền bán dẫn, bao gồm Si wafer, SiC Substrate, SOI wafer, SiN Substrate, Epi wafer, Gallium Oxide Ga2O3 và AlN wafer. Dòng sản phẩm đa dạng của chúng tôi đáp ứng nhu cầu của nhiều ứng dụng điện tử khác nhau, từ điện tử công suất đến RF và quang điện tử.

Tấm wafer SiC bán cách điện 6 inch mang lại một số ưu điểm:
Điện áp đánh thủng cao: Khoảng cách rộng của SiC cho phép điện áp đánh thủng cao hơn, cho phép tạo ra các thiết bị điện nhỏ gọn và hiệu quả hơn.
Hoạt động ở nhiệt độ cao: Độ dẫn nhiệt tuyệt vời của SiC cho phép hoạt động ở nhiệt độ cao hơn, cải thiện độ tin cậy của thiết bị.
Điện trở thấp: Các thiết bị SiC có điện trở thấp hơn, giảm tổn thất điện năng và cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng.

VET Energy cung cấp các tấm wafer SiC có thể tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của bạn, bao gồm các độ dày, mức độ pha tạp và độ hoàn thiện bề mặt khác nhau. Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi cung cấp hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ hậu mãi để đảm bảo thành công của bạn.

第6页-36
第6-35

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

6um

6um

Cung(GF3YFCD)-Giá trị tuyệt đối

15μm

15μm

25μm

15μm

Cong vênh (GF3YFER)

25μm

25μm

40μm

25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

cạnh wafer

vát mép

HOÀN THIỆN BỀ MẶT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng quang học hai mặt,Si-Face CMP

Độ nhám bề mặt

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Mặt C Ra< 0,5nm

(5umx5um) Si-Mặt Ra<0,2nm
Mặt C Ra<0.5nm

Chip cạnh

Không được phép (chiều dài và chiều rộng ≥0,5mm)

Thụt lề

Không được phép

Vết xước (Si-Mặt)

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

vết nứt

Không được phép

Loại trừ cạnh

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến WhatsApp!