Yarimo'tkazgich uchun SiC qoplamasi / qoplangan grafitli substrat / laganda

SiC qoplamasi/qoplangan grafitli substrat/yarim o'tkazgichli tasvir uchun laganda

Qisqacha tavsif:

Epitaksial o'sish uchun VET Energy SiC qoplamali grafit ushlagichi uzoq vaqt davomida barqaror va ishonchli ishlashni ta'minlash uchun mo'ljallangan yuqori samarali mahsulotdir. U juda yaxshi issiqlikka chidamliligi va termal bir xilligi, yuqori tozaligi, eroziyaga chidamliligi bilan ajralib turadi, bu uni gofretni qayta ishlash ilovalari uchun mukammal echimga aylantiradi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Yarimo'tkazgich uchun SiC qoplamasi / grafit ushlagichi bilan qoplangan

TheSiC qoplangan grafit substratyarimo'tkazgichlarni qayta ishlash sanoatining qat'iy talablarini qondirish uchun mo'ljallangan juda bardoshli va samarali yechimdir. Yuqori tozalik qatlami bilan ajralib turadikremniy karbid (SiC) qoplamasi, bu substrat ajoyib termal barqarorlik, oksidlanish qarshiligi va uzoq xizmat muddatini ta'minlaydi, bu uni MOCVD jarayonlarida, grafit gofret tashuvchilarda va boshqa yuqori haroratli muhitlarda qo'llash uchun ideal qiladi.

Xususiyatlari:
· Ajoyib termal zarba qarshiligi
· Zo'r jismoniy zarba qarshiligi
· Kimyoviy qarshilik
· Super yuqori tozalik
· Murakkab shaklda mavjudligi
· Oksidlovchi atmosfera ostida foydalanish mumkin

Ilova:

Mahsulot xususiyatlari va afzalliklari:

1. Yuqori issiqlik qarshiligi:Yuqori tozaligi bilanSiC qoplamasi, substrat haddan tashqari haroratga bardosh berib, epitaksiya va yarimo'tkazgich ishlab chiqarish kabi talabchan muhitda barqaror ishlashni ta'minlaydi.

2. Kengaytirilgan chidamlilik:SiC bilan qoplangan grafit komponentlari kimyoviy korroziya va oksidlanishga qarshi turish uchun mo'ljallangan bo'lib, standart grafit tagliklariga nisbatan substratning ishlash muddatini oshiradi.

3. Vitreus bilan qoplangan grafit:O'ziga xos shishasimon tuzilishiSiC qoplamasimukammal sirt qattiqligini ta'minlaydi, yuqori haroratda ishlov berishda eskirishni minimallashtiradi.

4. Yuqori toza SiC qoplamasi:Bizning substratimiz nozik yarimo'tkazgich jarayonlarida minimal ifloslanishni ta'minlaydi va qattiq materiallar tozaligini talab qiladigan sohalar uchun ishonchlilikni ta'minlaydi.

5. Keng bozor ilovasi:TheSiC bilan qoplangan grafitli sezgirYarimo'tkazgichlar ishlab chiqarishda ilg'or SiC bilan qoplangan mahsulotlarga talab ortib borayotganligi sababli bozor o'sishda davom etmoqda, bu substratni grafit gofret tashuvchisi bozorida ham, kremniy karbid bilan qoplangan grafit tovoqlar bozorida ham asosiy o'yinchi sifatida joylashtirmoqda.

Asosiy grafit materialining tipik xususiyatlari:

Ko'rinadigan zichlik:	1,85 g/sm3
Elektr qarshiligi:	11 mkm
Egiluvchanlik kuchi:	49 MPa (500kgf/sm2)
Sohil qattiqligi:	58
Kul:	<5 ppm
Issiqlik o'tkazuvchanligi:	116 Vt/mK (100 kkal/msoat-℃)

CVD SiClíngíngíngíngyínín CVD SiC ning asosiy fizik xususiyatlariqoplama
mín / Mulk	qàngāngān / Odatdagi qiymat
míngíngín / Kristal tuzilmasi	FCC b-fazasi, mángīnīn（111）dēng
qín / Zichlik	3,21 g/sm³
yān / Qattiqlik	2500 língínín（500g yuk）
míngāngān / Grain Size	2 ~ 10 mkm
lín / Kimyoviy tozalik	99,99995%
mān / Issiqlik sig'imi	640 J·kg^-1· K^-1
chànǎngín / Sublimatsiya harorati	2700 ℃
làngāngāngān / egilish kuchi	415 MPa RT 4 nuqtali
língíngín / Young's modulus	430 Gpa 4pt egilish, 1300 ℃
língíngíní / Issiqlik o'tkazuvchanligi	300 Vt·m^-1· K^-1
língíngín / Termal kengayish (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy - SiC qoplamasi, TaC qoplamasi, shishasimon uglerod qoplamasi, pirolitik uglerod qoplamasi va boshqalar kabi turli xil qoplamalarga ega bo'lgan moslashtirilgan grafit va kremniy karbid mahsulotlarini haqiqiy ishlab chiqaruvchisi bo'lib, yarimo'tkazgich va fotovoltaik sanoat uchun turli xil moslashtirilgan qismlarni etkazib berishi mumkin.

Bizning texnik guruhimiz eng yaxshi mahalliy tadqiqot institutlaridan keladi, siz uchun ko'proq professional moddiy echimlarni taqdim etishi mumkin.

Biz yanada ilg'or materiallar bilan ta'minlash uchun ilg'or jarayonlarni doimiy ravishda ishlab chiqamiz va qoplama va substrat o'rtasidagi bog'lanishni yanada qattiqroq va ajralishga kamroq moyil qiladigan eksklyuziv patentlangan texnologiyani ishlab chiqdik.

Sizni fabrikamizga tashrif buyurishingizga chin dildan xush kelibsiz, keling, batafsil muhokama qilaylik!