Yangiliklar

Kremniy karbid epitaksial qatlamining nuqsonlari qanday
admin tomonidan 24-06-05
SiC epitaksial materiallarining o'sishi uchun asosiy texnologiya, birinchi navbatda, nuqsonlarni nazorat qilish texnologiyasi, ayniqsa, qurilma ishdan chiqishi yoki ishonchliligining pasayishiga moyil bo'lgan nuqsonlarni nazorat qilish texnologiyasi uchun. Substrat nuqsonlari mexanizmini o'rganish epi...
Ko'proq o'qish
Oksidlangan tik don va epitaksial o'sish texnologiyasi-Ⅱ
admin tomonidan 24-05-30
2. Epitaksial yupqa plyonka o'sishi Substrat Ga2O3 quvvat qurilmalari uchun jismoniy qo'llab-quvvatlash qatlami yoki Supero'tkazuvchilar qatlamni ta'minlaydi. Keyingi muhim qatlam - kuchlanish qarshiligi va tashuvchini tashish uchun ishlatiladigan kanal qatlami yoki epitaksial qatlam. Buzilish kuchlanishini oshirish va tejamkorlikni kamaytirish uchun ...
Ko'proq o'qish
Galiy oksidi yagona kristalli va epitaksial o'sish texnologiyasi
admin tomonidan 24-05-30
Silikon karbid (SiC) va galliy nitridi (GaN) bilan ifodalangan keng tarmoqli (WBG) yarimo'tkazgichlar keng e'tiborga sazovor bo'ldi. Odamlar kremniy karbidni elektr transport vositalari va elektr tarmoqlarida qo'llash istiqbollariga, shuningdek, galyumni qo'llash istiqbollariga katta umid qilmoqdalar ...
Ko'proq o'qish
Kremniy karbid uchun qanday texnik to'siqlar mavjud?Ⅱ
admin tomonidan 24-05-22
Barqaror ishlashga ega bo'lgan barqaror ommaviy ishlab chiqarilgan yuqori sifatli silikon karbid gofretlaridagi texnik qiyinchiliklarga quyidagilar kiradi: 1) Kristallar 2000 ° C dan yuqori haroratli muhrlangan muhitda o'sishi kerakligi sababli, haroratni nazorat qilish talablari juda yuqori; 2) Kremniy karbiddan beri ...
Ko'proq o'qish
Silikon karbid uchun qanday texnik to'siqlar mavjud?
admin tomonidan 24-05-22
Yarimo'tkazgich materiallarining birinchi avlodi an'anaviy kremniy (Si) va germaniy (Ge) bilan ifodalanadi, ular integral mikrosxemalar ishlab chiqarish uchun asosdir. Ular past kuchlanishli, past chastotali va past quvvatli tranzistorlar va detektorlarda keng qo'llaniladi. Yarimo'tkazgich mahsulotlarining 90% dan ortig'i ...
Ko'proq o'qish
SiC mikro kukuni qanday tayyorlanadi?
admin tomonidan 24-05-13
SiC monokristalli 1:1 stexiometrik nisbatda ikki element Si va C dan tashkil topgan IV-IV guruhli aralash yarimo'tkazgichli materialdir. Uning qattiqligi olmosdan keyin ikkinchi o'rinda turadi. SiC ni tayyorlash uchun kremniy oksidini uglerodni kamaytirish usuli asosan quyidagi kimyoviy reaktsiya formulasiga asoslanadi ...
Ko'proq o'qish
Epitaksial qatlamlar yarimo'tkazgich qurilmalariga qanday yordam beradi?
admin tomonidan 24-05-13
Epitaksial gofret nomining kelib chiqishi Birinchidan, kichik bir tushunchani ommalashtiraylik: gofret tayyorlash ikkita asosiy bo'g'inni o'z ichiga oladi: substrat tayyorlash va epitaksial jarayon. Substrat yarimo'tkazgichli monokristalli materialdan tayyorlangan gofretdir. Substrat to'g'ridan-to'g'ri gofret ishlab chiqarishga kirishi mumkin ...
Ko'proq o'qish
Kimyoviy bug'larni cho'ktirish (CVD) yupqa qatlamli qatlam texnologiyasiga kirish
admin tomonidan 24-05-06
Kimyoviy bug 'cho'ktirish (CVD) muhim nozik plyonkali cho'kma texnologiyasi bo'lib, ko'pincha turli funktsional plyonkalar va yupqa qatlamli materiallarni tayyorlash uchun ishlatiladi va yarimo'tkazgich ishlab chiqarishda va boshqa sohalarda keng qo'llaniladi. 1. CVD ning ishlash printsipi CVD jarayonida gaz prekursori (bitta yoki...
Ko'proq o'qish
Fotovoltaik yarimo'tkazgich sanoati orqasidagi "qora oltin" siri: izostatik grafitga bo'lgan xohish va bog'liqlik
admin tomonidan 24-05-06
Izostatik grafit fotovoltaik va yarimo'tkazgichlarda juda muhim materialdir. Mahalliy izostatik grafit kompaniyalarining tez o'sishi bilan Xitoyda xorijiy kompaniyalarning monopoliyasi buzildi. Doimiy mustaqil tadqiqot va ishlanmalar va texnologik yutuqlar bilan ...
Ko'proq o'qish