Silikon karbid kristalli o'sganda, kristallning eksenel markazi va chekka o'rtasidagi o'sish interfeysining "muhiti" boshqacha bo'ladi, shuning uchun chekkadagi kristall kuchlanish kuchayadi va kristall chetida "keng qamrovli nuqsonlar" paydo bo'lishi oson bo'ladi. grafit to'xtash halqasining "uglerod" ta'siriga, chekka muammoni qanday hal qilish yoki markazning samarali maydonini (95% dan ortiq) oshirish muhim texnik mavzudir.
"Mikrotubulalar" va "qo'shimchalar" kabi makro nuqsonlar sanoat tomonidan asta-sekin nazorat qilinayotganligi sababli, kremniy karbid kristallarini "tez, uzun va qalin o'sishi va o'sishi" uchun qiyinlashtirmoqda, chekka "keng qamrovli nuqsonlar" g'ayritabiiy darajada sezilarli bo'ladi. silikon karbid kristallarining diametri va qalinligining oshishi, chekka "keng qamrovli nuqsonlar" diametri kvadrat va qalinligi bilan ko'paytiriladi.
Tantal karbidli TaC qoplamasidan foydalanish chekka muammosini hal qilish va kristall o'sishi sifatini yaxshilashdir, bu "tez o'sish, qalin o'sish va o'sish" ning asosiy texnik yo'nalishlaridan biridir.Sanoat texnologiyasini rivojlantirish va asosiy materiallarning "import" qaramligini hal qilish uchun Hengpu tantal karbid qoplama texnologiyasini (CVD) hal qildi va xalqaro ilg'or darajaga yetdi.
Tantal karbidli TaC qoplamasi, amalga oshirish nuqtai nazaridan qiyin emas, sinterlash, CVD va boshqa usullarga erishish oson.Sinterlash usuli, yuqori haroratda sinterlangan grafit substrat yuzasiga qo'shilgan faol moddalar (odatda metall) va biriktiruvchi vosita (umuman uzoq zanjirli polimer) qo'shilgan tantal karbid kukuni yoki prekursoridan foydalanish.CVD usuli bilan TaCl5 + H2 + CH4 grafit matritsasi yuzasiga 900-1500 ℃ haroratda yotqizildi.
Shu bilan birga, tantal karbid cho'kmasining kristall yo'nalishi, bir xil plyonka qalinligi, qoplama va grafit matritsasi o'rtasidagi kuchlanish, sirt yoriqlari va boshqalar kabi asosiy parametrlar juda qiyin.Ayniqsa, sic kristalli o'sish muhitida barqaror xizmat muddati asosiy parametr bo'lib, eng qiyin hisoblanadi.
Xabar vaqti: 21-iyul-2023-yil