Monokristalli 8 dyuymli silikon gofret

Monokristalli 8 dyuymli kremniy gofretli tasvir

Qisqacha tavsif:

VET Energy yagona kristalli 8 dyuymli kremniy gofreti yuqori toza, yuqori sifatli yarimo'tkazgichli asosiy materialdir. VET Energy gofretning mukammal kristal sifati, past nuqson zichligi va yuqori bir xillikka ega bo'lishini ta'minlash uchun ilg'or CZ o'sish jarayonidan foydalanadi, bu sizning yarimo'tkazgich qurilmalaringiz uchun mustahkam va ishonchli substratni ta'minlaydi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

VET Energy kompaniyasining monokristalli 8 dyuymli kremniy gofreti yarimo'tkazgichlar va elektron qurilmalarni ishlab chiqarish uchun sanoatda yetakchi yechim hisoblanadi. Yuqori tozalik va kristalli tuzilishni taklif qiluvchi ushbu gofretlar ham fotovoltaik, ham yarimo'tkazgich sanoatida yuqori samarali ilovalar uchun idealdir. VET Energy ilg'or elektron qurilmalar ishlab chiqarish uchun zarur bo'lgan mukammal bir xillik va silliq sirtni ta'minlab, har bir gofretning eng yuqori standartlarga javob berish uchun sinchkovlik bilan qayta ishlanishini ta'minlaydi.

Ushbu monokristalli 8 dyuymli kremniy gofretlari Si Wafer, SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate kabi bir qator materiallarga mos keladi va Epi Gofret o'sishi uchun ayniqsa mos keladi. Ularning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va elektr xususiyatlari ularni yuqori samarali ishlab chiqarish uchun ishonchli tanlovga aylantiradi. Bundan tashqari, bu gofretlar Gallium Oksid Ga2O3 va AlN Gofret kabi materiallar bilan uzluksiz ishlash uchun mo'ljallangan bo'lib, quvvat elektronikasidan tortib to RF qurilmalarigacha keng ko'lamli ilovalarni taklif etadi. Gofretlar, shuningdek, yuqori hajmli, avtomatlashtirilgan ishlab chiqarish muhitlari uchun Kassetali tizimlarga juda mos keladi.

VET Energy kompaniyasining mahsulot liniyasi faqat kremniy gofretlar bilan cheklanmaydi. Shuningdek, biz SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate, Epi Gofret va boshqalarni oʻz ichiga olgan keng assortimentdagi yarimoʻtkazgichli substrat materiallarini, shuningdek, Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Wafer kabi yangi keng tarmoqli yarimoʻtkazgichli materiallarni taqdim etamiz. Ushbu mahsulotlar turli iste'molchilarning quvvat elektronikasi, radiochastota, sensorlar va boshqa sohalarda qo'llash ehtiyojlarini qondirishi mumkin.

VET Energy mijozlarga moslashtirilgan gofret yechimlarini taqdim etadi. Biz turli xil qarshilik, kislorod miqdori, qalinligi va boshqalar bilan gofretlarni mijozlarning o'ziga xos ehtiyojlariga muvofiq sozlashimiz mumkin. Bundan tashqari, biz mijozlarga ishlab chiqarish jarayonida duch keladigan turli muammolarni hal qilishda yordam berish uchun professional texnik yordam va sotishdan keyingi xizmat ko'rsatamiz.

WAFERING XUSUSIYATLARI

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
Element	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-mutlaq qiymat	≤15 mkm	≤15 mkm	≤25mkm		≤15 mkm
Buzilish (GF3YFER)	≤25mkm	≤25mkm	≤40mkm		≤25mkm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2 mkm
Gofret chekkasi	Kesish

Yuzaki tugatish

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Yuzaki tugatish	Ikki tomonlama optik jilo, Si-Face CMP
Sirt pürüzlülüğü	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Kenar chiplari	Ruxsat berilmagan (uzunligi va kengligi≥0,5 mm)
Indents	Ruxsat berilmagan
Chizishlar (Si-Face)	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri			Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri
Yoriqlar	Ruxsat berilmagan
Chetni istisno qilish	3 mm