IC Single-Crystal Silicon Epitaxy

Qisqacha tavsif:

Kelib chiqqan joyi:Xitoy

Kristal tuzilishi:FCCb bosqichi

Zichlik:3,21 g/sm;

Qattiqlik:2500 Vickers;

Don hajmi:2 ~ 10 mkm;

Kimyoviy tozaligi:99,99995%;

Issiqlik quvvati:640J·kg-1·K-1;

Sublimatsiya harorati:2700 ℃;

Feleksual kuch:415 Mpa (RT 4 ball);

Yosh moduli:430 Gpa (4pt egilish, 1300 ℃);

Termal kengayish (CTE):4,5 10-6K-1;

Issiqlik o'tkazuvchanligi:300（Vt/MK）;

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Mahsulot tavsifi

Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniy o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.

Asosiy xususiyatlar:

1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:

harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.

2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.

3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.

4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.

CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari

SiC-CVD xususiyatlari
Kristal tuzilishi	FCC b fazasi
Zichlik	g/sm³	3.21
Qattiqlik	Vickers qattiqligi	2500
Don hajmi	mkm	2~10
Kimyoviy tozalik	%	99.99995
Issiqlik quvvati	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatsiya harorati	℃	2700
Feleksual kuch	MPa (RT 4 ball)	415
Yosh moduli	Gpa (4pt egilish, 1300℃)	430
Termal kengayish (CTE)	10-6K-1	4.5
Issiqlik o'tkazuvchanligi	(Vt/mK)	300