سلیکن پر مبنی GaN Epitaxy

مختصر تفصیل:


  • نکالنے کا مقام:چین
  • کرسٹل کی ساخت:FCCβ مرحلہ
  • کثافت:3.21 گرام/سینٹی میٹر
  • سختی:2500 وکرز
  • اناج کا سائز:2~10μm
  • کیمیائی طہارت:99.99995%
  • حرارت کی صلاحیت:640J·kg-1·K-1
  • سربلندی کا درجہ حرارت:2700℃
  • Felexural طاقت:415 ایم پی اے (RT 4-پوائنٹ)
  • نوجوان کا ماڈیولس:430 Gpa (4pt موڑ، 1300℃)
  • حرارتی توسیع (CTE):4.5 10-6K-1
  • تھرمل چالکتا:300 (W/MK)
  • مصنوعات کی تفصیل

    پروڈکٹ ٹیگز

    مصنوعات کی تفصیل

    ہماری کمپنی گریفائٹ، سیرامکس اور دیگر مواد کی سطح پر CVD طریقہ کے ذریعے SiC کوٹنگ کے عمل کی خدمات فراہم کرتی ہے، تاکہ کاربن اور سلیکون پر مشتمل خصوصی گیسیں اعلی درجہ حرارت پر رد عمل ظاہر کر کے اعلیٰ طہارت حاصل کرنے کے لیے SiC مالیکیول، لیپت مواد کی سطح پر جمع مالیکیولز، SIC حفاظتی پرت کی تشکیل۔

    اہم خصوصیات:

    1. اعلی درجہ حرارت آکسیکرن مزاحمت:

    جب درجہ حرارت 1600 C تک زیادہ ہو تو آکسیکرن مزاحمت اب بھی بہت اچھی ہوتی ہے۔

    2. اعلی طہارت: اعلی درجہ حرارت کلورینیشن کی حالت میں کیمیائی بخارات جمع کرنے سے بنایا گیا ہے۔

    3. کٹاؤ مزاحمت: اعلی سختی، کمپیکٹ سطح، ٹھیک ذرات.

    4. سنکنرن مزاحمت: تیزاب، الکلی، نمک اور نامیاتی ری ایجنٹس۔

    CVD-SIC کوٹنگ کی اہم تفصیلات

    SiC-CVD پراپرٹیز

    کرسٹل کا ڈھانچہ ایف سی سی β مرحلہ
    کثافت g/cm ³ 3.21
    سختی Vickers سختی 2500
    اناج کا سائز μm 2~10
    کیمیائی طہارت % 99.99995
    حرارت کی صلاحیت J·kg-1 · K-1 640
    Sublimation درجہ حرارت 2700
    Felexural طاقت MPa (RT 4 پوائنٹ) 415
    نوجوان کا ماڈیولس Gpa (4pt موڑ، 1300℃) 430
    تھرمل توسیع (CTE) 10-6K-1 4.5
    تھرمل چالکتا (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • پچھلا:
  • اگلا:

  • واٹس ایپ آن لائن چیٹ!