خبریں

فیول سیل میمبرین الیکٹروڈ، اپنی مرضی کے مطابق MEA -1
بذریعہ منتظم 22-09-21 کو
ایک میمبرین الیکٹروڈ اسمبلی (MEA) ایک اسمبلڈ اسٹیک ہے: پروٹون ایکسچینج میمبرین (PEM) کیٹالسٹ گیس ڈفیوژن لیئر (GDL) جھلی الیکٹروڈ اسمبلی کی تفصیلات: موٹائی 50 μm۔ سائز 5 cm2، 16 cm2، 25 cm2، 50 cm2 یا 100 cm2 فعال سطح کے علاقے۔ کیٹیلسٹ لوڈنگ انوڈ = 0.5...
مزید پڑھیں
پاور ٹولز/بوٹس/بائیکس/سکوٹرز کے لیے جدید ترین جدت پسندی کا کسٹم فیول سیل MEA
بذریعہ منتظم 22-09-21 کو
ایک میمبرین الیکٹروڈ اسمبلی (MEA) ایک اسمبلڈ اسٹیک ہے: پروٹون ایکسچینج میمبرین (PEM) کیٹالسٹ گیس ڈفیوژن لیئر (GDL) جھلی الیکٹروڈ اسمبلی کی تفصیلات: موٹائی 50 μm۔ سائز 5 cm2، 16 cm2، 25 cm2، 50 cm2 یا 100 cm2 فعال سطح کے علاقے۔ کیٹیلسٹ لوڈنگ انوڈ = 0.5...
مزید پڑھیں
ہائیڈروجن انرجی ٹیکنالوجی کے اطلاق کے منظر نامے کا تعارف
بذریعہ منتظم 22-09-17 کو

مزید پڑھیں
خودکار ری ایکٹر کی پیداوار کا عمل
بذریعہ منتظم 22-09-17 کو
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. ایک ہائی ٹیک انٹرپرائز ہے جو چین میں قائم کیا گیا ہے، جو اعلیٰ درجے کی میٹریل ٹیکنالوجی اور آٹوموٹو مصنوعات پر توجہ مرکوز کرتا ہے۔ ہم اپنی فیکٹری اور سیلز ٹیم کے ساتھ پیشہ ور صنعت کار اور سپلائر ہیں۔
مزید پڑھیں
دو الیکٹرک ویکیوم پمپ امریکہ بھیجے گئے۔
بذریعہ منتظم 22-09-14 کو

مزید پڑھیں
گریفائٹ فیلٹ ویتنام بھیج دیا گیا تھا۔
بذریعہ منتظم 22-09-14 کو

مزید پڑھیں
SiC آکسیکرن - مزاحم کوٹنگ گریفائٹ کی سطح پر CVD عمل کے ذریعہ تیار کی گئی تھی۔
بذریعہ منتظم 22-09-14 کو
SiC کوٹنگ کیمیائی بخارات جمع کرنے (CVD)، پیشگی تبدیلی، پلازما چھڑکاؤ، وغیرہ کے ذریعے تیار کی جا سکتی ہے۔ کیمیائی بخارات جمع کرنے سے تیار کردہ کوٹنگ یکساں اور کمپیکٹ ہے، اور اس کی ڈیزائن کی صلاحیت اچھی ہے۔ میتھائل ٹرائکلوسیلین کا استعمال۔ (CHzSiCl3، MTS) بطور سلکان ماخذ، SiC کوٹنگ کی تیاری...
مزید پڑھیں
سلیکن کاربائیڈ کا ڈھانچہ
بذریعہ منتظم 22-08-30 کو
سلکان کاربائیڈ پولیمورف کی تین اہم اقسام سلکان کاربائیڈ کی تقریباً 250 کرسٹل شکلیں ہیں۔ چونکہ سلکان کاربائیڈ میں یکساں کرسٹل ڈھانچے کے ساتھ یکساں پولی ٹائپس کا ایک سلسلہ ہے، اس لیے سلکان کاربائیڈ میں یکساں پولی کرسٹل لائن کی خصوصیات ہیں۔ سلیکون کاربائیڈ (موسانائٹ)...
مزید پڑھیں
SiC انٹیگریٹڈ سرکٹ کی تحقیقی حیثیت
بذریعہ منتظم 22-08-23
S1C مجرد آلات سے مختلف جو ہائی وولٹیج، ہائی پاور، ہائی فریکوئنسی اور اعلی درجہ حرارت کی خصوصیات کا تعاقب کرتے ہیں، SiC انٹیگریٹڈ سرکٹ کا تحقیقی مقصد بنیادی طور پر ذہین پاور ICs کنٹرول سرکٹ کے لیے ہائی ٹمپریچر ڈیجیٹل سرکٹ حاصل کرنا ہے۔ جیسا کہ SiC انٹیگریٹڈ سرکٹ کے لیے...
مزید پڑھیں