كرېمنىي كاربوننى پىششىقلاپ ئىشلەش تېخنىكىسى

رېئاكسىيەدىن ياسالغان كرېمنىي كاربون فارفورنىڭ مۇھىت تېمپېراتۇرىسىدا پىرىسلاش كۈچى ياخشى ، ھاۋانىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى ، ياخشى ئۇپراشقا قارشى تۇرۇش ، ياخشى ئىسسىققا چىداملىق ، سىزىقلىق كېڭىيىش كىچىك كوئېففىتسېنتى ، يۇقىرى ئىسسىقلىق يەتكۈزۈش كوئېففىتسېنتى ، قاتتىقلىق ، ئىسسىققا چىداملىق ۋە بۇزغۇنچىلىق ، ئوتتىن مۇداپىئەلىنىش ۋە باشقا يۇقىرى سۈپەتلىك ئالاھىدىلىكلەر. ماشىنا ، مېخانىكىلىق ئاپتوماتلاشتۇرۇش ، ئېكولوگىيىلىك مۇھىت ئاسراش ، ئالەم قاتنىشى قۇرۇلۇشى ، ئۇچۇر مەزمۇنى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ، ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىپ ، نۇرغۇن سانائەت ساھەلىرىدىكى تەننەرخى يۇقىرى ، ئورنىنى باسقىلى بولمايدىغان قۇرۇلما ساپال بۇيۇمغا ئايلاندى.

بېسىمسىز گۇناھ قىلىش ئىستىقباللىق SiC ھېسابلاش ئۇسۇلى دەپ ئاتالغان. ئوخشىمىغان ئۈزلۈكسىز قۇيۇش ماشىنىلىرىغا نىسبەتەن ، بېسىمسىز گۇناھلارنى قاتتىق فازا ھېسابلاش ۋە يۇقىرى ئىقتىدارلىق سۇيۇقلۇق فازا ھېسابلاش دەپ ئايرىشقا بولىدۇ. ئىنتايىن ياخشى بولغان Beta SiC پاراشوكىغا مۇۋاپىق B ۋە C (ئوكسىگېن مىقدارى% 2 كىمۇ يەتمەيدۇ) نى قوشۇش ئارقىلىق ، س.پروخازكا 2020-يىلى نىسپىي زىچلىقى% 98 تىن يۇقىرى بولغان SIC ھېسابلانغان بەدەنگە قۇيۇلدى ، Al2O3 ۋە Y2O3 بولسا خۇرۇچ. 1850-1950-يىللىرىدىكى 0.5m-SiC (ئازراق SiO2 بىلەن زەررىچە يۈزى) ھېسابلىغاندا ، خۇلاسە شۇكى ، SiC فارفورنىڭ زىچلىقى ئاساسىي نەزەرىيە زىچلىقىنىڭ 95% دىن ئېشىپ كەتتى ، داننىڭ كۆلىمى كىچىك ، ئوتتۇرىچە چوڭلۇقىمۇ چوڭ. is 1.5μm.

رېئاكسىيىلىك سىلىندىرلىق كرېمنىي كاربون سۇيۇق فازا ياكى يۇقىرى ئىقتىدارلىق سۇيۇقلۇق باسقۇچى بىلەن تۆشۈكلۈك قۇرۇلما تالونىنى ئەكس ئەتتۈرۈش ، تالوننىڭ سۈپىتىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ، شامال ئۆتۈشۈش ئېغىزىنى ئازايتىش ۋە تەييار مەھسۇلاتنى مەلۇم كۈچ ۋە ئۆلچەملىك توغرىلىق بىلەن ھېسابلاشنىڭ پۈتكۈل جەريانىنى كۆرسىتىدۇ. پلۇتونىي سىك پاراشوكى ۋە ساپلىق دەرىجىسى يۇقىرى گرافت مەلۇم نىسبەتتە ئارىلاشتۇرۇلۇپ ، تەخمىنەن 1650 قىزىتىلىپ چاچ تۆرەلمىسى ھاسىل بولىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، ئۇ سۇيۇقلۇق باسقۇچى Si ئارقىلىق پولاتقا سىڭىپ كىرىدۇ ياكى سىڭىپ كىرىدۇ ، كرېمنىي كاربون بىلەن ئەكىس ئەتتۈرۈپ پلۇتونىي-سىك ھاسىل قىلىدۇ ھەمدە ھازىرقى پلۇتونىي-سىك زەررىچىلىرى بىلەن بىرىكىدۇ. سى سىڭىپ كىرگەندىن كېيىن ، ئىنچىكە نىسپىي زىچلىقى ۋە ئورالمىغان چوڭلۇقى بىلەن رېئاكسىيە قىلىنغان بەدەنگە ئېرىشكىلى بولىدۇ. باشقا سىنلاش ئۇسۇللىرىغا سېلىشتۇرغاندا ، يۇقىرى زىچلىقتىكى رېئاكسىيەنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئۆزگەرتىش جەريانىدا بىر قەدەر كىچىك ، توغرا چوڭلۇقتىكى مەھسۇلاتنى بارلىققا كەلتۈرەلەيدۇ ، ئەمما ھېسابلانغان بەدەندە نۇرغۇن SiC بار ، رېئاكسىيەنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئالاھىدىلىكى SiC فارفورنى سىنغا ئالدى. تېخىمۇ ناچار بولىدۇ. بېسىمسىز ھېسابلانغان SiC ساپال بۇيۇملىرى ، ئىسسىق ئىزوتاتىك كالتسىيلانغان SiC ساپال بۇيۇملىرى ۋە رېئاكسىيە قىلىنغان SiC ساپال بۇيۇملىرىنىڭ ئوخشىمىغان ئالاھىدىلىكى بار.

رېئاكسىيىلىك سىلىندىرلىق كرېمنىي كاربون ئىشلەپچىقارغۇچىلار: مەسىلەن ، ھېسابلانغان نىسپىي زىچلىق ۋە ئېگىلىش دەرىجىسىدىكى SiC فارفور ، ئىسسىق بېسىش سىنىقى ۋە ئىسسىق ئىزوتاتىك بېسىش ھېسابلاش نىسبىتى بىر قەدەر يۇقىرى ، رېئاكتىپلىق گۇناھكار SiC بىر قەدەر تۆۋەن. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، SiC فارفورنىڭ فىزىكىلىق خۇسۇسىيىتى ھېسابلاش ئۆزگەرتكۈچنىڭ ئۆزگىرىشى بىلەن ئۆزگىرىدۇ. SiC فارفورنىڭ بېسىمسىز سىنتلاش ، ئىسسىق مەتبەئە سىنتلاش ۋە رېئاكسىيە سىنتېرىنىڭ ئىشقارلىققا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ۋە كىسلاتاغا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ياخشى ، ئەمما سىيرىلغان رېئاكسىيە SiC فارفورنىڭ HF ۋە باشقا ئىنتايىن كۈچلۈك كىسلاتانىڭ چىرىشىگە قارشى تۇرۇش كۈچى ئاجىز. مۇھىتنىڭ تېمپېراتۇرىسى 900 دىن تۆۋەن بولغاندا ، كۆپىنچە SiC فارفورلىرىنىڭ ئېگىلىش كۈچى يۇقىرى تېمپېراتۇرا سوقۇلغان فارفورنىڭكىدىن كۆرۈنەرلىك يۇقىرى بولىدۇ ، رېئاكتىپلىق سىنتلانغان SiC فارفورنىڭ ئېگىلىش كۈچى 1400 دىن ئېشىپ كەتكەندە شىددەت بىلەن تۆۋەنلەيدۇ. (بۇ تۇيۇقسىز كېلىپ چىققان. مەلۇم مىقداردىكى لىمونلانغان ئەينەك Si نىڭ ئېگىلىش كۈچىنىڭ تۆۋەنلىشى كالتسىيلانغان بەدەندىكى مەلۇم تېمپېراتۇرىدىن ئېشىپ كېتىدۇ.