-
يېقىلغۇ باتارېيە ئېلېكترودى ، خاسلاشتۇرۇلغان MEA -1
پەردى ئېلېكترود قۇراشتۇرۇش (MEA) قۇراشتۇرۇلغان بىر گۇرۇپپا: پروتون ئالماشتۇرۇش پەردىسى (PEM) كاتالىزاتور گازى دىففۇزىيە قەۋىتى (GDL) پەردى ئېلېكترود قۇراشتۇرۇشنىڭ ئۆلچىمى: قېلىنلىقى 50 مىللىمېتىر. چوڭلۇقى 5 cm2 ، 16 cm2 ، 25 cm2 ، 50 cm2 ياكى 100 cm2 ئاكتىپ يەر يۈزى. كاتالىزاتور يۈكلەش Anode = 0.5 ...تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ -
ئېلېكتر قوراللىرى / كېمە / ۋېلىسىپىت / موتوسىكلىت ئۈچۈن ئەڭ يېڭى يېڭىلىق يارىتىش ئىختىيارى يېقىلغۇ باتارېيە MEA
پەردى ئېلېكترود قۇراشتۇرۇش (MEA) قۇراشتۇرۇلغان بىر گۇرۇپپا: پروتون ئالماشتۇرۇش پەردىسى (PEM) كاتالىزاتور گازى دىففۇزىيە قەۋىتى (GDL) پەردى ئېلېكترود قۇراشتۇرۇشنىڭ ئۆلچىمى: قېلىنلىقى 50 مىللىمېتىر. چوڭلۇقى 5 cm2 ، 16 cm2 ، 25 cm2 ، 50 cm2 ياكى 100 cm2 ئاكتىپ يەر يۈزى. كاتالىزاتور يۈكلەش Anode = 0.5 ...تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ -
ھىدروگېن ئېنېرگىيە تېخنىكىسىنىڭ قوللىنىش سىنارىيەسى
-
ئاپتوماتىك رېئاكتور ئىشلەپچىقىرىش جەريانى
نىڭبو VET ئېنېرگىيە تېخنىكىسى چەكلىك شىركىتى جۇڭگودا قۇرۇلغان ، يۇقىرى ماتېرىيال تېخنىكىسى ۋە ماشىنا مەھسۇلاتلىرىنى ئاساس قىلغان يۇقىرى تېخنىكىلىق كارخانا. بىز ئۆزىمىزنىڭ زاۋۇتى ۋە سېتىش ئەترىتىمىز بىلەن كەسپىي ئىشلەپچىقارغۇچى ۋە تەمىنلىگۈچى.تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ -
ئىككى ئېلېكتر ۋاكۇئۇم پومپىسى ئامېرىكىغا توشۇلدى
-
گرافىك ۋىيېتنامغا ئەۋەتىلگەنلىكىنى ھېس قىلدى
-
SiC ئوكسىدلىنىش - چىداملىق سىر CVD جەرياندا گرافت يۈزىدە تەييارلانغان
خىمىيىلىك پارنى چۆكۈش (CVD) ، ئالدىنئالا ئۆزگەرتىش ، پلازما پۈركۈش قاتارلىقلار ئارقىلىق SiC سىرنى تەييارلىغىلى بولىدۇ ، CHEMICAL ھور چۆكمىسى تەييارلىغان سىر بىر خىل ھەم ئىخچام بولۇپ ، لايىھەلىنىشى ياخشى. مېتىل ترىخلوسىلاننى ئىشلىتىش. (CHzSiCl3, MTS) كىرىمنىي مەنبەسى ، SiC سىرلىق تەييارلىق ...تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ -
كرېمنىي كاربون قۇرۇلمىسى
كرېمنىي كاربون ئۈچ خىل ئاساسلىق ئۈچ خىل كىرىمنىي كاربوننىڭ تەخمىنەن 250 خرۇستال شەكلى بار. كرېمنىي كارببىدا ئوخشاش كىرىستال قۇرۇلمىغا ئوخشاش بىر يۈرۈش ئوخشاش كۆپ قۇتۇپلۇق بولغاچقا ، كرېمنىي كاربوننىڭ ئوخشاش كۆپ قۇتۇپلۇق خۇسۇسىيىتى بار. كرېمنىي كاربون (موسانىت) ...تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ -
SiC توپلاشتۇرۇلغان توك يولىنىڭ تەتقىقات ئەھۋالى
يۇقىرى بېسىملىق ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئالاھىدىلىكىنى قوغلىشىدىغان S1C دىسكا ئۈسكۈنىلىرىگە ئوخشىمايدىغىنى ، SiC توپلاشتۇرۇلغان توك يولىنىڭ تەتقىقات نىشانى ئاساسلىقى ئەقلىي ئىقتىدارلىق IC كونترول كونترول توك يولىنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق رەقەملىك توك يولىغا ئېرىشىش. SiC توپلاشتۇرۇلغان توك يولى سۈپىتىدە ...تېخىمۇ كۆپ ئوقۇڭ