1 كاربون / كاربون ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىدىكى كرېمنىي كاربون سىرنىڭ ئىشلىتىلىشى ۋە تەتقىقاتى
1.1 ھالقىلىق تەييارلىقتا قوللىنىش ۋە تەتقىقات ئىلگىرىلەش
يەككە خرۇستال ئىسسىقلىق مەيدانىدا ،كاربون / كاربون ھالقىلىقئاساسلىقى كرېمنىي ماتېرىيالى ئۈچۈن توشۇغۇچى قاچا سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ ھەمدە بىلەن ئالاقىلىشىدۇquartz crucible2-رەسىمدە كۆرسىتىلگىنىدەك ، كاربون / كاربون كرېستنىڭ خىزمەت تېمپېراتۇرىسى تەخمىنەن 1450 ئەتراپىدا℃قاتتىق كرېمنىي (كرېمنىي تۆت ئوكسىد) ۋە كرېمنىي ھورنىڭ قوش يىمىرىلىشىگە ئۇچرايدۇ ، ئاخىرىدا كرېست ئىنچىكە بولىدۇ ياكى ئۈزۈك يېرىلىدۇ ، نەتىجىدە كرېستنىڭ مەغلۇبىيىتى كېلىپ چىقىدۇ.
بىرىكمە سىرلىق كاربون / كاربون بىرىكمە ھالقىلىق خىمىيىلىك پارنىڭ ئۆتۈشۈش جەريانى ۋە نەق مەيداندىكى ئىنكاسى ئارقىلىق تەييارلانغان. بىرىكمە سىر كرېمنىي كاربون سىر (100 ~ 300) دىن تەركىب تاپقانμm) ، كرېمنىي سىر (10 ~ 20)μm) ۋە كرېمنىي نىترىد سىر (50 ~ 100)μm) ، كاربون / كاربون بىرىكمىسى ھالقىلىق كرېمنىي ھورنىڭ ئىچكى يۈزىدىكى چىرىشىنى ئۈنۈملۈك چەكلىيەلەيدۇ. ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ، بىرىكمە سىرلانغان كاربون / كاربون بىرىكمە كرېستنىڭ زىيىنى ھەر بىر ئوچاقنىڭ 0.04 مىللىمېتىر بولۇپ ، خىزمەت ئۆمرى 180 ئوچاق قېتىمغا يېتىدۇ.
تەتقىقاتچىلار خىمىيىلىك رېئاكسىيە ئۇسۇلىنى قوللىنىپ ، مەلۇم تېمپېراتۇرا شارائىتىدا ۋە توشۇغۇچى گازىنى قوغدايدىغان كاربون / كاربون بىرىكمىسىنىڭ يۈزىدە بىرلىككە كەلگەن كرېمنىي كاربون يېپىنچىسى ھاسىل قىلىپ ، كرېمنىي تۆت ئوكسىد ۋە كرېمنىي مېتالنى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا سىنلاشتا خام ئەشيا قىلىپ ئىشلەتكەن. ئوچاق. نەتىجىدە كۆرسىتىلىشىچە ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىنى بىر تەرەپ قىلىش سىك سىرنىڭ ساپلىقى ۋە كۈچلۈكلىكىنى ئاشۇرۇپلا قالماي ، يەنە كاربون / كاربون بىرىكمىسىنىڭ يۈزىنىڭ ئۇپراشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارىنى زور دەرىجىدە ياخشىلاپ ، SiO ھورنىڭ كرېستكە مىخ يۈزىنىڭ چىرىشىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ. ۋە يەككە كرىستاللىق ئوچاقتىكى ئۆزگىرىشچان ئوكسىگېن ئاتوملىرى. كرېستكە مىخلانمىغانلارنىڭ خىزمەت ئۆمرى كرېستكە مىخلانمىغان كرېستكە سېلىشتۇرغاندا% 20 ئۆسىدۇ.
1.2 ئېقىم يېتەكچىسى تۇرۇبىسىدا قوللىنىش ۋە تەتقىقات ئىلگىرىلەش
يېتەكچى سىلىندىر كرېستنىڭ ئۈستىدە (1-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك). خرۇستال تارتىش جەريانىدا ، مەيدان ئىچى ۋە سىرتىدىكى تېمپېراتۇرا پەرقى چوڭ ، بولۇپمۇ ئاستى يۈزى ئېرىتىلگەن كرېمنىي ماتېرىيالىغا ئەڭ يېقىن ، تېمپېراتۇرا ئەڭ يۇقىرى ، كرېمنىي ھورنىڭ چىرىشى ئەڭ ئېغىر.
تەتقىقاتچىلار يېتەكچى تۇرۇبىنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش قەۋىتى ۋە تەييارلىق ئۇسۇلىنىڭ ئاددىي جەريان ۋە ياخشى ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارىنى كەشىپ قىلدى. ئالدى بىلەن ، بىر قەۋەت كرېمنىي كاربون ۋىۋىسكىسى يېتەكچى نەيچىسىنىڭ ماترىسساسىدا جايىدا ئۆستۈرۈلدى ، ئاندىن قويۇق كرېمنىي كاربون سىرتقى قەۋىتى تەييارلاندى ، شۇنىڭ بىلەن ماترىسسا بىلەن قويۇق كرېمنىي كاربون يۈزى يۈزى ئوتتۇرىسىدا SiCw ئۆتكۈنچى قەۋىتى شەكىللەندى. 3-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك. ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى ماترىسسا بىلەن كرېمنىي كاربون ئوتتۇرىسىدا ئىدى. ئۇ ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتىنىڭ ماس كەلمەسلىكى كەلتۈرۈپ چىقارغان ئىسسىقلىق بېسىمىنى ئۈنۈملۈك ئازايتالايدۇ.
تەھلىلدە كۆرسىتىلىشچە ، SiCw مەزمۇنىنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، سىردىكى يېرىلىشنىڭ سانى ۋە سانى ئازىيىدىكەن. 1100 دە 10h ئوكسىدلانغاندىن كېيىن℃ھاۋا ، سىر ئەۋرىشكىسىنىڭ ئورۇقلاش نىسبىتى ئاران% 0.87 ~ 8.87% ، كرېمنىي كاربون سىرنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى ۋە ئىسسىقلىق زەربىسىگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى زور دەرىجىدە يۇقىرى كۆتۈرۈلگەن. خىمىيىلىك ھور چۆكۈش ئارقىلىق پۈتكۈل تەييارلىق جەريانى ئۇدا تاماملىنىدۇ ، كرېمنىي كاربون يېپىنچىسى تەييارلاش زور دەرىجىدە ئاددىيلاشتۇرۇلدى ، پۈتكۈل ئوقنىڭ ئەتراپلىق ئىقتىدارى كۈچەيتىلدى.
تەتقىقاتچىلار czohr يەككە كرىستال كرېمنىينىڭ گرافت يېتەكچى تۇرۇبىسىنىڭ ماترىسسانى كۈچەيتىش ۋە يەر يۈزىنى سىرلاش ئۇسۇلىنى ئوتتۇرىغا قويدى. ئېرىشىلگەن كرېمنىي كاربون سۇلياۋ يوپۇق گرافىك يېتەكچى تۇرۇبىسىنىڭ يۈزىگە بىر قەۋەت سىرلانغان بولۇپ ، قېلىنلىقى 30 ~ 50 بولغان.μm چوتكا سىرلاش ياكى پۈركۈش سىرلاش ئۇسۇلى ئارقىلىق ، ئاندىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوچاققا قويۇپ ، نەق مەيداننىڭ ئىنكاسى ، رېئاكسىيە تېمپېراتۇرىسى 1850 ~ 2300℃ھەمدە ئىسسىقلىقنى ساقلاش 2 ~ 6h بولغان. SiC سىرتقى قەۋىتىنى 24 (60.96 سانتىمېتىر) يەككە خرۇستال ئۆسۈش ئوچىقىدا ئىشلىتىشكە بولىدۇ ، ئىشلىتىش تېمپېراتۇرىسى 1500℃ھەمدە 1500h دىن كېيىن گرافت يېتەكچى سىلىندىرنىڭ يۈزىدە يېرىلىش ۋە چۈشۈش پاراشوكى يوقلىقى بايقالغان.
1.3 ئىزولياتورلۇق سىلىندىردا قوللىنىش ۋە تەتقىقات ئىلگىرىلەش
يەككە كىرىستاللىق كرېمنىي ئىسسىقلىق مەيدانى سىستېمىسىنىڭ مۇھىم تەركىبلىرىنىڭ بىرى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، ئىزولياتسىيىلىك سىلىندىر ئاساسلىقى ئىسسىقلىق يوقىتىشنى ئازايتىش ۋە ئىسسىقلىق مەيدانى مۇھىتىنىڭ تېمپېراتۇرا دەرىجىسىنى كونترول قىلىش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ. يەككە كىرىستال ئوچاقنىڭ ئىچكى تام ئىزولياتسىيىلىك قەۋىتىنىڭ تايانچ قىسمى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، كرېمنىي ھورنىڭ چىرىشى مەھسۇلاتنىڭ پاتقاققا پېتىپ قېلىشىنى ۋە يېرىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، نەتىجىدە مەھسۇلاتنىڭ مەغلۇبىيىتىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
C / C-sic بىرىكمە ئىزولياتسىيىلىك نەيچىسىنىڭ كرېمنىي ھورنىڭ چىرىشكە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارىنى تېخىمۇ يۇقىرى كۆتۈرۈش ئۈچۈن ، تەتقىقاتچىلار تەييارلانغان C / C-sic بىرىكمە ئىزولياتسىيىلىك تۇرۇبا مەھسۇلاتلىرىنى خىمىيىلىك ھور رېئاكسىيە ئوچىقىغا سېلىپ ، قويۇق كرېمنىي كاربون يېپىنچىسى تەييارلىدى. خىمىيىلىك پارنىڭ چۆكۈش جەريانىدىكى C / C-sic بىرىكمە ئىزولياتسىيىلىك تۇرۇبا مەھسۇلاتلىرىنىڭ يۈزى. نەتىجىدە كۆرسىتىلىشچە ، بۇ جەريان كرېمنىي ھورنىڭ C / C-sic بىرىكمىسىنىڭ يادروسىدىكى كاربون تالاسىنىڭ چىرىشىنى ئۈنۈملۈك تىزگىنلىيەلەيدىكەن ، كرېمنىي ھورنىڭ چىرىشكە قارشى تۇرۇش كۈچى كاربون / كاربون بىرىكمىسى بىلەن سېلىشتۇرغاندا 5 ~ 10 ھەسسە ئاشىدىكەن ، ھەمدە ئىزولياتورلۇق سىلىندىرنىڭ خىزمەت مۇددىتى ۋە ئىسسىقلىق مەيدانى مۇھىتىنىڭ بىخەتەرلىكى زور دەرىجىدە ئۆستى.
2.خۇلاسە ۋە ئىستىقبال
كرېمنىي كاربون يېپىنچىسىيۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ياخشى بولغاچقا ، كاربون / كاربون ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىدا بارغانسىرى كەڭ قوللىنىلىدۇ. يەككە كرىستاللىق كرېمنىي ئىشلەپچىقىرىشتا ئىشلىتىلىدىغان كاربون / كاربون ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىنىڭ كۆلىمىنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىنىڭ يۈزىدە كرېمنىي كاربون يېپىنچىسى بىردەكلىكىنى قانداق قىلىپ يۇقىرى كۆتۈرۈش ۋە كاربون / كاربون ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىنىڭ خىزمەت ئۆمرىنى ياخشىلاش جىددىي مەسىلىگە ئايلاندى. to be solved.
يەنە بىر جەھەتتىن ، يەككە كرىستال كرېمنىي سانائىتىنىڭ تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، يۇقىرى ساپلىقتىكى كاربون / كاربون ئىسسىقلىق مەيدانى ماتېرىياللىرىغا بولغان ئېھتىياجمۇ كۈنسېرى ئېشىۋاتىدۇ ، رېئاكسىيە جەريانىدا ئىچكى كاربون تالالىرىدىمۇ SiC نانو تالاسى ئۆستۈرۈلىدۇ. تەجرىبە تەييارلىغان C / C-ZRC ۋە C / C-sic ZrC بىرىكمىسىنىڭ ماسسىلىق تاھارەت ۋە سىزىقلىق تاھارەت نىسبىتى -0.32 mg / s ۋە 2.57.μm / s, respectively. C / C-sic -ZrC بىرىكمىسىنىڭ ماسسىسى ۋە سىزىقلىق تاھارەت نىسبىتى -0.24mg / s ۋە 1.66μm / s, respectively. SiC نانو تالاسى بار C / C-ZRC بىرىكمىلىرى تېخىمۇ ياخشى يوقىتىش خۇسۇسىيىتىگە ئىگە. كېيىن ، ئوخشىمىغان كاربون مەنبەلىرىنىڭ SiC نانو تالاسىنىڭ ئۆسۈشىگە بولغان تەسىرى ۋە C / C-ZRC بىرىكمىسىنىڭ يوقىتىش خۇسۇسىيىتىنى كۈچەيتىدىغان SiC نانو تالا مېخانىزىمى تەتقىق قىلىنىدۇ.
بىرىكمە سىرلىق كاربون / كاربون بىرىكمە ھالقىلىق خىمىيىلىك پارنىڭ ئۆتۈشۈش جەريانى ۋە نەق مەيداندىكى ئىنكاسى ئارقىلىق تەييارلانغان. بىرىكمە سىر كرېمنىي كاربون سىر (100 ~ 300) دىن تەركىب تاپقانμm) ، كرېمنىي سىر (10 ~ 20)μm) ۋە كرېمنىي نىترىد سىر (50 ~ 100)μm) ، كاربون / كاربون بىرىكمىسى ھالقىلىق كرېمنىي ھورنىڭ ئىچكى يۈزىدىكى چىرىشىنى ئۈنۈملۈك چەكلىيەلەيدۇ. ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ، بىرىكمە سىرلانغان كاربون / كاربون بىرىكمە كرېستنىڭ زىيىنى ھەر بىر ئوچاقنىڭ 0.04 مىللىمېتىر بولۇپ ، خىزمەت ئۆمرى 180 ئوچاق قېتىمغا يېتىدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 2-ئاينىڭ 22-كۈنىدىن 20-كۈنىگىچە