جۇڭگو ئىشلەپچىقارغۇچى SiC قاپلانغان گرافت MOCVD Epitaxy Susceptor

جۇڭگو ئىشلەپچىقارغۇچى SiC قاپلانغان گرافىك MOCVD Epitaxy Susceptor ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

ساپلىق <5ppm
Op ياخشى دوپپا بىرلىكى
‣ يۇقىرى زىچلىق ۋە چاپلىشىش
چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش ۋە كاربونغا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ياخشى

‣ كەسپىي خاسلاشتۇرۇش
Lead قوغۇشۇن ۋاقتى
‣ مۇقىم تەمىنلەش
Control سۈپەتنى كونترول قىلىش ۋە ئۈزلۈكسىز ياخشىلاش

كۆك ياقۇتتىكى GaN نىڭ Epitaxy(RGB / Mini / Micro LED);
Si Substrate دىكى GaN نىڭ Epitaxy(UVC);
Si Substrate دىكى GaN نىڭ Epitaxy(ئېلېكترون ئۈسكۈنىسى)
Si Substrate دىكى سىنىڭ Epitaxy(توپلاشتۇرۇلغان توك يولى)
SiC تارماق لىنىيىسىدىكى Epitaxy(Substrate);
InP دىكى Inita نىڭ Epitaxy

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ PDF قىلىپ چۈشۈرۈڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

ئەلا سۈپەتلىك MOCVD سۈمۈرگۈچ جۇڭگودىن توردا سېتىۋېلىڭ

ۋافېر ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىشكە تەييارلىنىشتىن بۇرۇن بىر قانچە باسقۇچتىن ئۆتۈشى كېرەك. بىر مۇھىم جەريان كرېمنىيلىق تۇتقاقلىق كېسىلى بولۇپ ، ئۇنىڭدا ۋافېر گرافت سۈمۈرگۈچتە ئېلىپ بېرىلىدۇ. سۈمۈرگۈچنىڭ خۇسۇسىيىتى ۋە سۈپىتى ۋافېرنىڭ تۇتقاقلىق قەۋىتىنىڭ سۈپىتىگە ئىنتايىن مۇھىم تەسىر كۆرسىتىدۇ.

Epitaxy ياكى MOCVD غا ئوخشاش نېپىز پەردە چۆكۈش باسقۇچىغا نىسبەتەن ، VET تارماق بالا ياكى «ۋافېر» نى قوللاشقا ئىشلىتىلىدىغان دەرىجىدىن تاشقىرى ساپ گرافىك ئۈسكۈنىلىرى بىلەن تەمىنلەيدۇ. بۇ جەرياننىڭ يادروسى ، بۇ ئۈسكۈنىلەر ، تۇتقاقلىق سېزىمچانلىقى ياكى MOCVD ئۈچۈن سۈنئىي ھەمراھ سۇپىسى ئالدى بىلەن چۆكۈش مۇھىتىغا ئۇچرايدۇ:

يۇقىرى تېمپېراتۇرا.
يۇقىرى بوشلۇق.
تاجاۋۇزچى گاز پۈركۈگۈچ ئىشلىتىش.
بۇلغىنىش نۆل ، پوستىنىڭ يوقلۇقى.
تازىلاش مەشغۇلاتى جەريانىدا كۈچلۈك كىسلاتاغا قارشى تۇرۇش

VET ئېنېرگىيىسى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە يورۇقلۇق ۋولت سانائىتى ئۈچۈن سىرلانغان خاسلاشتۇرۇلغان گرافت ۋە كرېمنىي كاربون مەھسۇلاتلىرىنى ھەقىقىي ئىشلەپچىقارغۇچى. بىزنىڭ تېخنىكىلىق گۇرۇپپىمىز دۆلەت ئىچىدىكى داڭلىق تەتقىقات ئورۇنلىرىدىن كەلگەن ، سىزگە تېخىمۇ كۆپ كەسپىي ماتېرىيال ھەل قىلىش چارىسى بىلەن تەمىنلەيدۇ.

بىز تېخىمۇ ئىلغار ماتېرىياللار بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن ئۈزلۈكسىز ئىلغار جەريانلارنى تەرەققىي قىلدۇرىمىز ۋە مەخسۇس پاتېنت تېخنىكىسى تەتقىق قىلىپ چىقتۇق ، بۇ سىر بىلەن ئاستى قەۋەت ئوتتۇرىسىدىكى باغلىنىشنى تېخىمۇ چىڭىتىپ ، ئەترەتكە ئاسان ئېرىشەلمەيدۇ.

مەھسۇلاتلىرىمىزنىڭ ئالاھىدىلىكى:

1. يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى 1700 up.
2. يۇقىرى ساپلىق ۋە ئىسسىقلىق بىردەكلىكى
3. چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى: كىسلاتا ، ئىشقار ، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاكتور.
4. قاتتىقلىق ، ئىخچام يۈز ، ئىنچىكە زەررىچىلەر.
5. ئۇزۇن ئۆمۈر كۆرۈش ۋە چىداملىق

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC نىڭ ئاساسلىق فىزىكىلىق خۇسۇسىيىتىسىر
性质 / مۈلۈك	典型数值 / تىپىك قىممەت
晶体结构 / خرۇستال قۇرۇلما	FCC β باسقۇچى多晶，主要为（111 ）取向
密度 / زىچلىقى	3.21 g / cm³
硬度 / قاتتىقلىق	2500 维氏硬度（ 500g يۈك）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / خىمىيىلىك ساپلىق	99.99995%
热容 / ئىسسىقلىق ئىقتىدارى	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimation Temperature	2700 ℃
抗弯强度 / ئەۋرىشىم كۈچ	415 MPa RT 4-نومۇر
杨氏模量 / Young 's Modulus	430 Gpa 4pt ئەگمە ، 1300 ℃
导热系数 / Thermalئۆتكۈزۈشچانلىقى	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / ئىسسىقلىق كېڭەيتىش (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1