SiC порошогының чисталыгы PVT ысулы белән үстерелгән SiC бер кристаллның сыйфаты һәм эшенә турыдан-туры тәэсир итәчәк, һәм SiC порошогын әзерләү өчен чимал - югары чисталык Si порошогы һәм югары чисталык C порошогы, һәм C порошогының чисталыгы турыдан-туры тәэсир итәчәк. SiC порошогының чисталыгы.
Тонер җитештерүдә кулланылган чималга гадәттә плит графит, нефть кокы һәм микрокристалл таш сыя керә. Графитның чисталыгы никадәр югары булса, куллану бәясе дә шулкадәр югары. Графитны чистарту ысулларын физик ысулларга һәм химик ысулларга бүлеп була. Физик чистарту ысулларына флотация һәм югары температураны чистарту керә, һәм химик чистарту ысулларына кислота-нигез ысулы, гидрофлор кислотасы ысулы һәм хлорид кыздыру ысулы керә. Алар арасында югары температураны чистарту ысулы югары эрү ноктасын (3773К) һәм графитның кайнап торган ноктасын куллана ала, 4N5 һәм югарырак чисталыкка ирешү өчен, бу түбән кайнау ноктасы белән пычракларның парга әйләнүен һәм чыгарылышын үз эченә ала, максатка ирешү өчен. чистарту [6]. Highгары чисталык тонерының төп технологиясе - эз пычракларын бетерү. Химик чистарту һәм югары температураны чистарту характеристикалары белән берлектә, югары чисталык тонер материалларын чистартуга ирешү өчен уникаль сегментлы композицион югары температуралы термохимик чистарту процессы кабул ителә, һәм продукт чисталыгы 6N-тан артык булырга мөмкин.
Продукциянең эшләнеше һәм үзенчәлекләре:
1, продукт чисталыгы≥99,9999% (6Н);
2, югары чисталыклы углерод порошогы тотрыклылыгы, графитизациянең югары дәрәҗәсе, аз пычраклык;
3, гранулитика һәм тип кулланучылар әйтүенчә көйләнергә мөмкин.
Продукциянең төп кулланылышы:
High highгары чисталык SiC порошогы һәм башка каты фазалы синтетик карбид материаллары синтезы
Diam Алмаз үстерегез
Electronic Электрон продуктлар өчен яңа җылылык үткәрүчәнлек материаллары
■ endгары литий батарея катод материалы
Metal Кыйммәтле металл кушылмалар шулай ук чимал