SiC каплау графиты MOCVD Wafer ташучылары Si SiC эпитаксы өчен графит сусепторлары,
Углерод сусепторлары белән тәэмин итә, эпитакси сизүчеләр, Графит сусепторлар белән тәэмин итә, Графит ваферы,

CVD-SiC капламасы бердәм структура, компакт материал, югары температурага каршы тору, оксидлашуга каршы тору, югары чисталык, кислота һәм эшкәртү каршылыгы һәм органик реагент, тотрыклы физик һәм химик үзенчәлекләргә ия.

Grafгары чисталыклы графит материаллары белән чагыштырганда, графит 400C температурада оксидлаша башлый, бу оксидлашу аркасында порошокның югалуына китерәчәк, периферия җайланмаларына һәм вакуум камераларына әйләнә-тирә мохитнең пычрануына китерә, һәм югары чисталык мохитенең пычраклыгын арттыра.

Ләкин, SiC капламасы 1600 градус физик һәм химик тотрыклылыкны саклый ала, ул хәзерге индустриядә, аеруча ярымүткәргеч сәнәгатендә киң кулланыла.

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру. Формалаштырылган СИС графит нигезенә нык бәйләнгән, графит базасына махсус үзенчәлекләр бирә, шулай итеп графит өслеген компакт, порозитсыз, югары температурага каршы, коррозиягә каршы һәм оксидлашуга каршы тора.

Төп үзенчәлекләр:

1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:

температура 1700 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.

2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.

3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.

4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.

CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:

Тапшыру сәләте:

Айга 10000 кисәк / кисәк
Пакетлау һәм китерү:
Урлау: Стандарт һәм көчле төрү
Поли сумка + тартма + картон + паллет
Порт:
Нинбо / Шэньчжэнь / Шанхай
Алдынгы вакыт: