Ышанычлы тәэмин итүче Китай югары температурага чыдам бил кремний карбид графиты

Кыска тасвирлау:


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Хәзер бездә бик яхшы персонал кулланучылары бар, интернет маркетинг, QC, һәм ышанычлы тәэмин итүче Кытай югары температурасына чыдам бил кремний карбид графиты җитештерү ысулы кысаларында проблемалы дилемма төрләре белән эш итү, без клиентлар белән бергә үсәрбез дип ышанабыз. бөтен дөньяда.
Хәзер бездә бик күп персонал кулланучылары бар, интернет маркетингта, QC, һәм җитештерү ысулы кысаларында проблемалы дилемма төрләре белән эшләү.Китай, Графит, Бүген без бөтен дөньядан клиентлар алдык, шул исәптән АКШ, Россия, Испания, Италия, Сингапур, Малайзия, Таиланд, Польша, Иран һәм Ирак. Безнең компаниянең бурычы - иң югары сыйфатлы товарны иң яхшы бәя белән тәэмин итү. Без сезнең белән бизнес алып баруны түземсезлек белән көтәбез.

Продукция тасвирламасы

Углерод / углерод композитлары(алга таба - “C / C яки CFC ”) - углеродка нигезләнгән һәм углерод җепселләре һәм аның продуктлары (углерод җепселләре преформасы) белән ныгытылган композицион материал. Аның углерод инерциясе дә, углерод җепселенең югары көче дә бар. Аның яхшы механик үзлекләре, җылылыкка каршы торуы, коррозиягә каршы торуы, сүрелү сүндерү һәм җылылык һәм электр үткәрүчәнлеге үзенчәлекләре бар

CVD-SiCкаплау бердәм структура, компакт материал, югары температурага каршы тору, оксидлашуга каршы тору, югары чисталык, кислота һәм эшкәртү каршылыгы һәм органик реагент, тотрыклы физик һәм химик үзенчәлекләргә ия.

Grafгары чисталыклы графит материаллары белән чагыштырганда, графит 400C температурада оксидлаша башлый, бу оксидлашу аркасында порошокның югалуына китерәчәк, периферия җайланмаларына һәм вакуум камераларына әйләнә-тирә мохитнең пычрануына китерә, һәм югары чисталык мохитенең пычраклыгын арттыра.

Ләкин, SiC капламасы 1600 градус физик һәм химик тотрыклылыкны саклый ала, ул хәзерге индустриядә, аеруча ярымүткәргеч сәнәгатендә киң кулланыла.

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру. Формалаштырылган СИС графит нигезенә нык бәйләнгән, графит базасына махсус үзенчәлекләр бирә, шулай итеп графит өслеген компакт, порозитсыз, югары температурага каршы, коррозиягә каршы һәм оксидлашуга каршы тора.

 MOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртү

Төп үзенчәлекләр:

1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:

температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.

2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.

3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.

4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.

 

CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:

SiC-CVD

Тыгызлыгы

(g / cc)

3.21

Флексур көч

(Mpa)

470

Rылылык киңәюе

(10-6 / К)

4

Rылылык үткәрүчәнлеге

(W / mK)

300

Төгәл рәсемнәр

MOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртүMOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртүMOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртүMOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртүMOCVD графит өслегендә SiC каплау эшкәртү

Компания турында мәгълүмат

111

Завод җиһазлары

222

Склад

333

Сертификатлар

Сертификатлар22

 


  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • WhatsApp Онлайн Чат!