SiC җылылык кыры материалы буларак SiC кристалл үсеше өчен күзәнәк тантал карбиды

SiC кристалл үсеше өчен җылы танталь карбид җылылык кыры материалы үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Тозлы танталь карбид, нигездә, газ фазасы компонентларын фильтрлау, җирле температура градиентын көйләү, материаль агым юнәлешен юнәлтү, агып чыгу белән идарә итү һ.б. өчен кулланыла, аны Хенгпу технологиясеннән тагын бер каты тантал карбиды (компакт) яки тантал карбид каплавы белән кулланырга мөмкин. төрле агым үткәрү белән.

Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

TaC капламы - физик парны чүпләү технологиясе белән әзерләнгән тантал карбид (TaC) каплау төре, аның түбәндәге үзенчәлекләре бар:

1. Highгары катылык: TaC каплау катылыгы югары, гадәттә 2500-3000HV җитә ала, искиткеч каты каплау.

3. Яхшы югары температурага каршы тору: TaC каплавы шулай ук югары температура шартларында яхшы эшләвен саклый ала.

4. Яхшы химик тотрыклылык: TaC каплавы яхшы химик тотрыклылыкка ия һәм кислоталар һәм нигезләр кебек күп химик реакцияләргә каршы тора ала.

碳化钽涂层物理特性物理特性 Физик үзлекләре TaC каплау
密度/ Тыгызлыгы	14.3 (г / см³)
比辐射率 / Конкрет эмиссивлык	0.3
热膨胀系数 / Rылылык киңәйтү коэффициенты	6.3 10^-6/K
努氏硬度/ Каты (HK)	2000 ХК
电阻 / Каршылык	1 × 10^-5 Ом * см
热稳定性 / Rылылык тотрыклылыгы	<2500 ℃
石墨尺寸变化 / Графит зурлыгы үзгәрә	-10 ~ -20ум
涂层厚度 / Катлам калынлыгы	2020ум типик кыйммәт (35ум ± 10ум)

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd - югары технологияле предприятия, югары дәрәҗәдәге алдынгы материаллар җитештерүгә һәм сатуга, графит, кремний карбид, керамика, өслекне эшкәртү һ.б. Продуктлар фотоволтаик, ярымүткәргеч, яңа энергия, металлургия һ.б киң кулланыла ..

Безнең техник коллектив иң яхшы эчке тикшеренү институтларыннан килә, сезнең өчен профессиональ материаль чишелешләр тәкъдим итә ала.

Сезнең заводка килүегезне җылы каршы алабыз, әйдәгез алга таба фикер алышыйк!