КерешКремний Карбид
Кремний карбид (СИС) тыгызлыгы 3,2г / см3. Табигый кремний карбид бик сирәк һәм ясалма ысул белән синтезланган. Кристалл структурасының төрле классификациясе буенча кремний карбидын ике категориягә бүлеп була: α SiC һәм β SiC. Кремний карбид (СИС) белән күрсәтелгән өченче буын ярымүткәргеч югары ешлыкка, югары эффективлыкка, югары көчкә, югары басымга, югары температурага һәм көчле нурланышка каршы торуга ия. Ул энергияне саклау һәм чыгаруны киметү, акыллы җитештерү һәм мәгълүмат куркынычсызлыгының төп стратегик ихтыяҗлары өчен яраклы. Бу яңа буын мобиль элемтә, яңа энергия машиналары, югары тизлекле тимер юл поездлары, энергия интернеты һәм башка тармакларның мөстәкыйль инновацияләрен, үсешен һәм үзгәрүен тәэмин итү, яңартылган төп материаллар һәм электрон компонентлар глобаль ярымүткәргеч технологияләр һәм сәнәгать конкуренциясенең төп үзәгенә әйләнде. . 2020-нче елда глобаль икътисадый һәм сәүдә үрнәге төзекләндерү чорында, һәм Кытай икътисадының эчке һәм тышкы мохите катлаулырак һәм катлаулы, ләкин дөньяда өченче буын ярымүткәргеч индустриясе тенденциягә каршы үсә. Кремний карбид сәнәгатенең яңа үсеш этабына керүен танырга кирәк.
Кремний карбидкушымта
Ярымүткәргеч сәнәгатендә кремний карбид куллану кремний карбид ярымүткәргеч сәнәгате чылбырында кремний карбид югары чисталык порошогы, бер кристалл субстрат, эпитаксиаль, электр җайланмасы, модуль упаковкасы һәм терминал куллану һ.б.
1. Бер кристалл субстрат - ярымүткәргечнең терәк материалы, үткәргеч материал һәм эпитаксиаль үсеш субстраты. Хәзерге вакытта SiC бер кристаллның үсеш ысулларына физик газ күчерү (PVT), сыек фаза (LPE), югары температуралы химик пар парламенты (htcvd) һ.б. керә. 2. Эпитаксиаль кремний карбид эпитаксиаль таблицасы бер таләпләр һәм субстрат белән бер үк юнәлешле бер кристалл пленка (эпитаксиаль катлам) үсешен аңлата. Практик куллануда киң үткәргеч ярымүткәргеч җайланмалар барысы да диярлек эпитаксиаль катламда, һәм кремний карбид чиплары үзләре субстратлар буларак кулланыла, шул исәптән Ган эпитаксиаль катламнары.
3. югары чисталыкSiCпорошок - PVT ысулы белән кремний карбид бер кристалл үсеше өчен чимал. Аның продукт чисталыгы SiC бер кристаллның үсеш сыйфаты һәм электр үзлекләренә турыдан-туры тәэсир итә.
4. Энергия җайланмасы кремний карбидыннан эшләнгән, ул югары температурага каршы тору, югары ешлык һәм югары эффективлык. Theайланманың эш формасы буенча,SiCЭлектр җайланмаларына, нигездә, электр диодлары һәм электр күчергеч трубалары керә.
5. Өченче буын ярымүткәргеч кушымтасында, соңгы куллануның өстенлекләре - алар GaN ярымүткәргечне тулыландыра алалар. Conversгары конверсия эффективлыгы, түбән җылыту характеристикалары һәм SiC җайланмаларының җиңеллеге өстенлекләре аркасында, SiO2 җайланмаларын алыштыру тенденциясе булган түбән индустриягә сорау артуын дәвам итә. Кремний карбид базарының хәзерге торышы өзлексез үсә. Кремний карбид өченче буын ярымүткәргеч үсеш базарында кулланыла. Өченче буын ярымүткәргеч продуктлары тизрәк үтеп керделәр, куллану кырлары өзлексез киңәя, һәм автомобиль электроникасы, 5г элемтә, тиз зарядлы электр белән тәэмин итү һәм хәрби куллану белән базар тиз үсә. .
Пост вакыты: 16-2021 март