СИЛИКОН ВАФЕР
ситрониктан
Aвафер1 миллиметр калынлыктагы кремний кисәге, техник яктан бик таләпчән процедуралар аркасында бик яссы өслеккә ия. Соңгы куллану нинди кристалл үстерү процедурасын кулланырга кирәклеген билгели. Чохральски процессында, мәсәлән, поликристалл кремний эретелә һәм карандаш-нечкә орлык кристалллары эретелгән кремнийга батырыла. Орлык кристаллын аннары әйләндерәләр һәм әкрен генә өскә тарталар. Бик авыр колосс, монокристал, нәтиҗәләр. Монокристалның электр характеристикаларын югары чисталыклы допантларның кечкенә берәмлекләрен өстәп сайларга мөмкин. Кристаллар клиент спецификасы нигезендә допедланган, аннары чистартылган һәм кисәкләргә киселгән. Төрле өстәмә җитештерү адымнарыннан соң, клиент күрсәтелгән ваферларны махсус пакетта ала, бу клиентка кулланырга мөмкинлек бирәвафершунда ук җитештерү линиясендә.
Бүгенге көндә кремний монокристалларының зур өлеше Чохральски процессы буенча үстерелә, бу поликристалл югары чисталык кремнийны гиперпур кварцында эретү һәм допант өстәү (гадәттә B, P, As, Sb). Нечкә, монокристалл орлык кристалллары эретелгән кремнийга батырыла. Зур CZ кристалл аннары бу нечкә кристаллдан үсә. Эретелгән кремний температурасын һәм агымын төгәл көйләү, кристалл һәм критик әйләнеш, шулай ук кристалл тарту тизлеге бик югары сыйфатлы монокристалл кремний инготына китерә.
Пост вакыты: июнь-03-2021