SiC оксидлашуы - чыдамлы каплау графит өслегендә CVD процессы белән әзерләнгән

SiC каплавы химик пар парламенты (CVD), прекурсор трансформациясе, плазма сиптерү һ.б. белән әзерләнергә мөмкин, Химик пар парламенты белән әзерләнгән каплау бертөрле һәм компакт, яхшы дизайнга ия. Метил трихлосилан куллану. (CHzSiCl3, MTS) кремний чыганагы буларак, CVD ысулы белән әзерләнгән SiC каплау - бу каплауны куллану өчен чагыштырмача җитлеккән ысул.
SiC каплавы һәм графит яхшы химик яраклашуга ия, алар арасындагы җылылык киңәю коэффициентының аермасы кечкенә, SiC капламасын кулланып, графит материалның тузуга каршы торышын һәм оксидлашу каршылыгын эффектив яхшырта ала. Алар арасында стохиометрик катнашу, реакция температурасы, эретү газы, пычрак газ һәм башка шартлар реакциягә зур йогынты ясыйлар.

Ha1c68bb3ca114f94a010b3a9dbfb19f2E.jpg_480x480


Пост вакыты: 14-2022 сентябрь
WhatsApp Онлайн Чат!