Ярымүткәргеч өчен Графит субстратының кремний карбид каплавы SiC капламасы

SiC бик яхшы физик һәм химик үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, югары эрү ноктасы, югары каты, коррозиягә каршы тору һәм оксидлашуга каршы тору. Бигрәк тә 1800-2000 the диапазонында, SiC яхшы абляциягә каршы тора. Шуңа күрә аның аэрокосмос, корал җиһазлары һәм башка өлкәләрдә киң куллану перспективалары бар. Ләкин, SiC үзе кебек кулланылмыйструктурматериал,шуңа күрә каплау ысулы гадәттә аның киеменә каршы тору һәм абляция резистанын куллану өчен кулланылаce.

93MOCVD субстрат җылыткыч, MOCVD1 өчен җылыту элементлары

Кремний карбид(СИК) ярымүткәргеч материал - өченче буынeберенче үткәргеч элемент ярымүткәргеч материалы (Si, GE) һәм икенче буын кушылма ярымүткәргеч материалы (GaAs, аерма, InP һ.б.) соң эшләнгән. Ярымүткәргеч киң диапазон материалы буларак, кремний карбид зур диапазонның киңлеге, югары ватылу кыры көче, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары йөртүче туендыру тизлеге, кечкенә диэлектрик даими, көчле нурланыш каршылыгы һәм яхшы химик тотрыклылык үзенчәлекләренә ия. Ул югары температурага каршы торучы төрле югары ешлыклы һәм югары көчле җайланмалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин, һәм кремний җайланмалары компетентсыз булган очракларда кулланылырга мөмкин, яисә гомуми кушымталарда кремний җайланмалары җитештерү авыр булган эффект ясарга мөмкин.

Төп кушымта: 3-12 дюймлы монокристалл кремний, поликристалл кремний, калий арсенид, кварц кристалл һ.б. чыбык кисү өчен кулланыла.Кулланылганярымүткәргеч. катализатор ярдәме һәм башка өлкәләр


Пост вакыты: 17-2022 февраль
WhatsApp Онлайн Чат!